鄭新和 教授
| 專家姓名: | 鄭新和 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
III族氮化物半導(dǎo)體薄膜與低維結(jié)構(gòu)的原子層外延生長(zhǎng)，新型氮化鎵/二維體系異質(zhì)結(jié)熱電子晶體管，原子層沉積在太陽(yáng)能電池、儲(chǔ)能電池中的應(yīng)用，發(fā)光二極管芯片設(shè)計(jì)與計(jì)算，薄膜物性表征與分析 |
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| 自我介紹： | ||||
教育經(jīng)歷 2002年6月畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲博士學(xué)位。 工作經(jīng)歷 博士畢業(yè)后工作于中國(guó)科學(xué)院物理研究所、源順國(guó)際有限公司(北京)和中國(guó)石油大學(xué)(北京)，曾前往德國(guó)、智利及臺(tái)灣從事技術(shù)培訓(xùn)和博士后方面的研究工作。2009年3月至2014年3月，工作于中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，任研究員、博士生導(dǎo)師。2014年起加盟北京科技大學(xué)物理系，任教授、博士生導(dǎo)師。一直從事氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導(dǎo)體薄膜和量子阱（QW）結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)、物理性能分析與光電器件（發(fā)光二極管和太陽(yáng)能電池）方面的研究。目前正在進(jìn)行III族氮化物原子層外延生長(zhǎng)、新型GaN/二維體系熱電子晶體管以及原子層沉積應(yīng)用方面等的研究工作。 科研業(yè)績(jī) 在InGaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表征、太陽(yáng)能電池器件物理和薄膜外延生長(zhǎng)方面開(kāi)展了具有特色并受到國(guó)際同行關(guān)注的研究工作。GaN馬賽克扭轉(zhuǎn)角測(cè)量方法受到英國(guó)劍橋大學(xué)在物理類綜合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次評(píng)價(jià)，薄膜晶格常數(shù)測(cè)量方法被實(shí)際應(yīng)用到研究工作并寫(xiě)入科學(xué)出版社專著章節(jié)，InGaN基太陽(yáng)能電池受到2014年諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者S.Nakamura教授研究組的多次引用。截止目前，已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等國(guó)內(nèi)外知名期刊上發(fā)表論文近八十篇，申請(qǐng)專利二十項(xiàng)（十一項(xiàng)授權(quán)）。曾擔(dān)任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座編輯，是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》等國(guó)內(nèi)外期刊的審稿人?，F(xiàn)擔(dān)任中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)半導(dǎo)體光源系統(tǒng)專業(yè)委員會(huì)委員。主持、參與的項(xiàng)目包括國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、上海空間電源研究所、蘇州市國(guó)際合作、與日本索尼公司國(guó)際合作、橫向項(xiàng)目等。 獲得獎(jiǎng)勵(lì) 江蘇省科學(xué)技術(shù)三等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀共產(chǎn)黨員、蘇州市高層次緊缺人才、北京科技大學(xué)高層次人才等。 |
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| 所在單位: | 北京科技大學(xué) | |||
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