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本人長期從事SiC功率器件設計、制備、測試及可靠性分析相關工作

本人長期從事SiC功率器件設計、制備、測試及可靠性分析相關工作。目前已主持或參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃、陜西省重點研發(fā)計劃、中興產(chǎn)學研項目等多項縱橫向項目，并負責開發(fā)了1.2kV、3.3kV、5kV和6.7kV SiC功率肖特基二極管及650V-1700V SiC MOSFET器件，擁有豐富的器件設計及測試經(jīng)驗。以第一作者或通訊作者在IEEE electron device letters、IEEE transactions on electron devices、Carbon、Solid-state electronics、Journal of crystal growth、Chinese physics B等期刊發(fā)表論文10余篇，申請專利20余項。目前擔任IEEE transactions on electron devices、Thin solid films等期刊審稿人。