嚴輝 教授
| 專家姓名: | 嚴輝 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
在半導體薄膜點缺陷的研究中取得多個重大進展，發(fā)展了非晶Si及其合金薄膜的熱平衡理論，在Si3N4薄膜中發(fā)現(xiàn)存在有N-Pair的新型點缺陷，并建立了Si基薄膜表面缺陷的衍生機制；在納米電子輸運機理方面，拓展了納米半導體疊層的量子共振遂穿理論。1984年，參與研制出國內(nèi)第一個效率達到4.4%的a-Si p-i-n薄膜電池；創(chuàng)新了InP基雙重摻雜-漂移機制和Si基新型徑向異質(zhì)結(jié)的新型太陽電池；目前保持有效率為22.4%的Si基平面異質(zhì)結(jié)太陽電池的國內(nèi)記錄，已具備產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)能力。 |
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| 自我介紹： | ||||
湖南岳陽人，光電薄膜材料與器件、新能源領(lǐng)域?qū)＜?，目前為北京工業(yè)大學學術(shù)委員會委員、材料學科學術(shù)委員會主任。1984年本科畢業(yè)于蘭州大學物理系獲理學學士學位，1989年留學日本、師從國際半導體知名學者清水立生教授，1993年獲國立金澤大學理學博士學位；歷任過日本NEC株式會社外國人特別研究員、香港中文大學電子工程系博士后研究員；1996年加盟北京工業(yè)大學，創(chuàng)立薄膜科學與技術(shù)研究室，是創(chuàng)建北京工業(yè)大學材料學科的主要成員之一，1998年破格晉升教授、博士生導師，為北京工業(yè)大學材料學科、物理學科等多學科的建設(shè)和發(fā)展作出了重要貢獻，并參與組建了多個省部級重點實驗室、國家和北京市多個重點和交叉學科，是多個省部級學術(shù)創(chuàng)新團隊以及國家、地方和企業(yè)重要課題的負責人。 |
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| 所在單位: | 北京工業(yè)大學 | |||
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