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        愛譜斯原子層沉積系統(tǒng)ALD
        愛譜斯原子層沉積系統(tǒng)ALD

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        西班牙

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        暫無
        愛譜斯中國有限公司

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        第2年

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        原子層沉積系統(tǒng)ALD

        標(biāo)準(zhǔn)型(Standard )設(shè)備

        價格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配

        結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,后期維護(hù)簡單易行

        用途廣,適合各種基底材料

        原子層沉積系統(tǒng),ALD——擴(kuò)展型(Flexivol)設(shè)備

        腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié),同一腔室可通過簡單的調(diào)節(jié)適用于不同厚度的樣品

        增多前驅(qū)體源入口數(shù)目,避免腔室體積增大對前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響

        ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化(Non-Standard)設(shè)備

        為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案

        放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗(yàn)的相同技術(shù)

        根據(jù)客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要

        研發(fā)(R&D)服務(wù)

        開發(fā)新的薄膜沉積方案

        診斷、改進(jìn)現(xiàn)有ALD的工藝

        為潛在的客戶做覆膜演示

        薄膜沉積工藝咨詢

        原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)參數(shù)

        不銹鋼材質(zhì)腔室,根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)標(biāo)配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

        前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)配有快速氣動閥門

        多段溫度控制

        前驅(qū)體溫控0-200 °C,精度1 °C

        腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

        進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

        基本壓強(qiáng) 10^?1/10^?3 mbar

        設(shè)備尺寸 1000x600x1000 mm

        觸控控制系統(tǒng)

        系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

        工藝監(jiān)控:溫度和壓力等

        偏差報警和安全鎖

        菜單操作,實(shí)時監(jiān)控

        可增配選項

        等離子體發(fā)生器借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ALD性能

        臭氧發(fā)生器提供強(qiáng)氧化劑,增大ALD生長的前驅(qū)體選擇范圍

        石英晶體微天平在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度

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        10分

        易用性

        10分

        性價比

        10分
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