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        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)
        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)

        參考價(jià)格

        面議

        型號(hào)

        品牌

        產(chǎn)地

        日本

        樣本

        暫無
        量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

        會(huì)員

        |

        第2年

        |

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        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)-TCN-2ω

        — 薄膜材料的熱導(dǎo)率評(píng)價(jià)將變得極為簡便

        日本Advance Riko公司推出的納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)是使用2ω方法測(cè)量納米薄膜厚度方向熱導(dǎo)率的商用系統(tǒng)。與其他方法相比,樣品制備和測(cè)量極為簡單。

        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn):

        1. 在納米尺度衡量薄膜的熱導(dǎo)率

        開發(fā)出的監(jiān)測(cè)周期加熱過程中熱反射帶來的金屬薄膜表面溫度變化的方法,通過厚度方向上的一維熱導(dǎo)模型計(jì)算出樣品表面的溫度變化,極為簡便的衡量厚度方向上熱導(dǎo)率。(日本**:5426115)

        2. 樣品制備簡單

        不需要光刻技術(shù)即可將金屬薄膜(1.7mm×15mm×100nm)沉積在薄膜樣品上。

        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用:

        1. 熱設(shè)計(jì)用薄膜熱導(dǎo)率評(píng)價(jià)的優(yōu)先選擇。

        low-k薄膜,有機(jī)薄膜,熱電材料薄膜

        2. 可用于評(píng)價(jià)熱電轉(zhuǎn)換薄膜

        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量原理:

        當(dāng)使用頻率為f的電流周期加熱金屬薄膜時(shí),熱流的頻率將為電流頻率的2倍(2f)。如果樣品由金屬薄膜(0)-樣品薄膜(1)-基體(s)組成(如圖),可由一維熱導(dǎo)模型計(jì)算出金屬薄膜上表面的溫度變化T(0)。

        假設(shè)熱量全部傳導(dǎo)到基體,則T(0)可由下式計(jì)算:

        (λ/Wm-1K-1,C/JK-1m-3,q/Wm-3,d/m,ω(=2πf)/s-1

        式中實(shí)部(同相振幅)包含樣品薄膜的信息。如熱量全部傳導(dǎo)到基體,則同相振幅正比于(2 ω)0.5,薄膜的熱導(dǎo)率(λ1)可由下式給出:

        (m:斜率,n:截距)

        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)參數(shù):

        1. 測(cè)試溫度:室溫

        2. 樣品尺寸:長10~20mm,寬10mm

        厚0.3~1mm(含基體)

        3. 基體材料:Si(推薦)

        Ge,Al2O3(高熱導(dǎo)率)

        4. 樣品制備:樣品薄膜上需沉積金屬薄膜(100nm)

        (推薦:金)

        5. 薄膜熱導(dǎo)率測(cè)量范圍:0.1~10W/mK

        6. 測(cè)試氛圍:大氣

        設(shè)備概念圖

        樣品準(zhǔn)備

        納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試數(shù)據(jù):

        Si基底上的SiO2薄膜(20-100nm)測(cè)量結(jié)果

        d1 / nm

        19.9

        51.0

        96.8

        λ1/ W m-1 K-1

        0.82

        1.03

        1.20

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        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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