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        德國PhysTech FT1030深能級瞬態(tài)譜儀器DLTS
        德國PhysTech FT1030深能級瞬態(tài)譜儀器DLTS

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        弘度科學儀器(上海)有限公司

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        HERA-DLTS

        高能分辨率深能級瞬態(tài)譜(DLTS)

        PhysTech在1990年推出了**臺數(shù)字DLTS,隨著電腦技術的發(fā)展,使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎上,用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程,如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS(等溫瞬態(tài)光譜)信號重疊法、溫度掃描信號重疊法(重折疊)。與其他系統(tǒng)相比,HERA-DLTS具有無法比擬的能量分辨率。

        半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設備根據(jù)半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容(△C~t)技術和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。

        特點:

        • 自動接觸檢查

        • 常規(guī)測試和加強軟件

        • 自動電容補償

        • 三終端FET電流瞬態(tài)測量

        • 大電容和濃度范圍

        • 靈活性高、模塊化硬件

        • 支持各種冷卻倉和溫度控制器

        • 傅里葉轉(zhuǎn)換(F-DLTS),比例窗口和用戶自定義校正功能

        • DLTFS(深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀)評價

        操作模式:

        • C-DLTS

        • CC-DLTS

        • I-DLTS

        • DD-DLTS

        • Zerbst-DLTS

        • O-DLTS

        • FET-Analysis

        • MOS-Analysis

        • ITS(等溫瞬態(tài)光譜儀)

        • 缺陷分析

        • 俘獲截面測量

        • I/V, I/V(T)理查森標繪圖

        • C/V, C/V(T)

        • TSC/TSCAP

        • PITS(光子誘導瞬態(tài)譜)

        • DLOS(特殊系統(tǒng))

        規(guī)格:

        分辨率:

        1*108 atoms/cm3

        脈沖發(fā)生器

        電壓范圍:±20.4V(±102opt.)
        電壓分辨率:0.625mV
        **電流:>±15mA
        脈沖寬度:1μs-1000s
        快速脈沖選配
        電容表
        HF信號:100Mv@1MHz(20mV optional)
        范圍[pF]:3,30,300,3000(自動或手動)
        電容補償:0.1-3000 pF(自動或手動)
        靈敏度:0.01 fF
        電壓測量
        范圍:±10V
        靈敏度:<1μV
        輸入電阻:106Ohm
        可提供偏壓補償:

        電流測試

        范圍:

        5,從±1μA 到±10mA

        靈敏度:

        <1pA
        可提供漏電保護
        瞬態(tài)記錄

        樣品速率:

        2μs到2000s

        樣品數(shù)量:

        16-16384(opt.64k)

        可調(diào)節(jié)抗失真濾膜

        標準冷卻倉
        溫度范圍:15K-450K或77K~800K
        溫度掃描方式:使用28個不同的相關功能(軟件)通過一次溫度掃描,給出28個溫度掃描信號。
        典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)
        靈敏度:10-7T/(ND-NA)<10-5
        能量精度:HT+/-3%
        能量分辨率:10meV
        發(fā)射率:10-3/s4/s

        Options

        • Constant Capacitance

        • Optical Excitation

        • Fast Pulse Interface

        • ±100 V Option

        • Multi Sample Interface

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        10分

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        10分

        性價比

        10分
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