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EM12是采用先進的測量技術，針對中端精度需求的研發(fā)和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量?？捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的**厚度測量。

特點：

• 次納米量級的高靈敏度

  國際先進的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.2nm。

• 1.6秒的快速測量

  國際水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在1.6秒內快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。

• 簡單方便的儀器操作

  用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。

應用：

• EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質量控制。
• EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
• EM12可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱玫膲K狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。

技術指標:

項目	技術指標
儀器型號	EM12
激光波長	632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性（1）	0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性（1）	2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間	與測量設置相關，典型1.6s
**的膜層范圍	透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關
光學結構	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度）
激光光束直徑	1-2mm
入射角度	40°-90°可手動調節(jié)，步進5°
樣品方位調整	Z軸高度調節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調節(jié)：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸	平面樣品直徑可達Φ170mm
**外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量（凈重）	25Kg
選配件	水平XY軸調節(jié)平移臺 真空吸附泵
軟件	ETEM軟件： 中英文界面可選； 多個預設項目供快捷操作使用； 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合； 方便的數據顯示、編輯和輸出 豐富的模型和材料數據庫支持

注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證:

• 穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法，保證了高穩(wěn)定性和高準確度
• 高精度的光學自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準
• 穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量
• 分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
• 一體化集成式的儀器結構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
• 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用

可選配件：

• NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
• NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
• VP01真空吸附泵
• VP02真空吸附泵
• 樣品池