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原理：

等離子體等離子體分析飛行時間質(zhì)譜儀是一個全新的儀器，它結(jié)合了GD等離子體的濺射速度和飛行時間質(zhì)譜的靈敏度，實現(xiàn)了高分辨率和高靈敏度條件下固體材料的快速化學(xué)深度剖析。

重點應(yīng)用領(lǐng)域：

摻雜分析（半導(dǎo)體、光電子、太陽能光伏、傳感器、固態(tài)光源）

表面和整體污染鑒定（PVD鍍層、摩擦層、）

腐蝕科學(xué)和技術(shù)（示蹤物、標(biāo)記監(jiān)測、同位素分析）

界面監(jiān)測

參數(shù)：

采集速率：每30μs一張全質(zhì)譜

質(zhì)量分辨率：選擇高分辨率模式時，在m/z208可達(dá)5000

動態(tài)范圍：10⁷

質(zhì)量準(zhǔn)確度40ppm

靈敏度:10³cps/ppm

深度分辨率：nm

正負(fù)離子模式

4個離子的靈活消隱功能

簡單易用的水平樣品裝載

產(chǎn)品特點：

樣品分析快速無預(yù)處理：無需超高壓腔

適用于各種材料及鍍層分析

全質(zhì)量覆蓋：可提供從H到U元素的完整質(zhì)譜和分子信息，包括同位素監(jiān)測

獨有3D數(shù)據(jù) ，脈沖射頻模式(**)

高深度分辨率：測試薄層可至1nm到厚層：厚層可達(dá)100μm

無需校準(zhǔn)的半定量分析：濺射和電離過程分離，使得基體效應(yīng)*小化

原理圖：

應(yīng)用實例：

富含O18氧化鉭的同位素分析

Si PV的雜質(zhì)識別

Si中B的定量摻雜

InGaN中Mg的定量分析