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CVD金剛石膜熱沉片品牌
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CVD金剛石膜熱沉片
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CVD金剛石膜熱沉片
CVD金剛石膜熱沉片
CVD金剛石的一個(gè)重要性質(zhì)是它具有極高的熱導(dǎo)率,在室溫條件下金剛石的熱導(dǎo)率是銅的五倍。同時(shí)它本身又是極好的絕緣材料,因此可以應(yīng)用金剛石膜制作高功率光電子元件的散熱器材料。
熱學(xué)級(jí)CVD金剛石目前的主要應(yīng)用是高功率半導(dǎo)體二極管激光器，二極管激光器陣列的熱沉(散熱片)，GaN on diamond復(fù)合片和衛(wèi)星擴(kuò)熱板。主要用于光通訊(光端機(jī))和軍事。目前高功率二極管激光器陣列的輸出功率已經(jīng)達(dá)到1千瓦以上, 不僅在軍事, 將來(lái)在民用技術(shù)上肯定會(huì)有廣泛用途(如用作激光加工)。
半導(dǎo)體芯片的金剛石封裝是一個(gè)市場(chǎng)潛力非常大的應(yīng)用領(lǐng)域, 在技術(shù)上已經(jīng)沒(méi)有太大的困難, 主要的問(wèn)題是產(chǎn)品的性能價(jià)格比。對(duì)于普通的大規(guī)模集成電路芯片來(lái)說(shuō), 采用CVD金剛石膜封裝在經(jīng)濟(jì)上是不合算的, 主要的市場(chǎng)在開(kāi)發(fā)高功率(Power ICs)或高頻率(微波器件)或抗輻射的特殊高價(jià)值半導(dǎo)體器件封裝。
我公司利用直流等離子體噴射方法生產(chǎn)的CVD金剛石膜的熱導(dǎo)率已經(jīng)達(dá)到2000W/m.K,完全可以滿足在軍事和民用技術(shù)方面及某些特殊領(lǐng)域?qū)ι岬囊蟆?/p>
應(yīng)用領(lǐng)域
大功率集成電路，激光二極管，金剛石上的GaN（GOD）以及衛(wèi)星電子系統(tǒng)的散熱器的底座。
熱導(dǎo)率（Tc）
標(biāo)準(zhǔn)：>1200 W/m?K
高：>1500 W/m?K
優(yōu)：>1800 W/m?K (**2000 W/m?K）
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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