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        碳化硅單晶生長爐
        碳化硅單晶生長爐

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        面議

        型號

        碳化硅單晶生長爐

        品牌

        哈爾濱科友

        產(chǎn)地

        黑龍江

        樣本

        暫無
        哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

        高級會員

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        第1年

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        生產(chǎn)商

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          其他
        • 金屬電熱元件:

          其他
        • 燒結(jié)氣氛:

          其他
        • 溫控精度:

          -
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          -
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          -
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        一、生產(chǎn)對象:

        生產(chǎn)六英寸碳化硅晶體

        二、爐體結(jié)構(gòu):

        石英管爐,石英管內(nèi)徑400mm以上;抽空管道材質(zhì)304;機(jī)架及門板材質(zhì)為鋁合金等滿足結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的材料;線圈內(nèi)徑≥420mm; 表面帶絕緣涂層處理

        三、底座結(jié)構(gòu):

        需裝載架承載熱區(qū),并可由合適的裝載卸載設(shè)備從底部進(jìn)行裝載或卸載。

        四、設(shè)備參數(shù):

        加熱系統(tǒng):6英寸線圈                                                                                                                         進(jìn)氣閥(控制):                                                                                                    2個(gè);工藝氬氣流量1100Sccm;氮?dú)饬髁?5Sccm;
        工作溫度:滿足2650°C以內(nèi)工藝要求;有效加熱功率≥40KW中頻感應(yīng)電源:

        額定功率≥40KW,電流精度0.05%,諧振頻率(kHz)10-12KHz單高溫計(jì)配制,上測溫,僅用于溫度監(jiān)視。測量范圍包括1000℃~3000℃,測溫精度 ±0.5%F.S.,測溫重復(fù)精度±2℃;測溫儀采用FLUKE E1RH系列紅外高溫計(jì)通氣 150sccm Ar 時(shí)工藝控壓(P)的精度:1500Pa以下的控壓精度:目標(biāo)值±20Pa,1500Pa至10000Pa的控壓精度:目標(biāo)值±50Pa

        線圈和坩堝相對位置移動系統(tǒng):可以實(shí)現(xiàn) 慢速0.02~10㎜/h,快速≥100㎜/min的相對位置移動動作,升降系統(tǒng)需帶上下限位。使用機(jī)械泵加分子泵實(shí)現(xiàn)真空。控制系統(tǒng):全自動控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)整個(gè)長晶過程的全自動控制;采用功率控制模式。
        冷態(tài)或空爐時(shí)包括放氣率的總漏率:≤5.0E-9mBar·L/s ;極限真空下,保壓12h,壓升≤5Pa。控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)和權(quán)限管理:可對長晶過程中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)記錄并存檔,可追溯分析;直觀液晶顯示的人機(jī)交換界面,擁有用戶登錄及賬戶管理系統(tǒng),為方便生產(chǎn)管理,可為不同的賬戶分配不同的權(quán)限。
        工藝氣體流量測量控制器(MFC):2個(gè)或以上;流量計(jì)精度±0.25%F.S.(<35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.)裝料量要求及結(jié)構(gòu)承重:下爐蓋及升降系統(tǒng)能承重48公斤或以上重量。
        工藝氣體流量控制系統(tǒng):Ar和N2可按工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)定,進(jìn)行全自動坡度調(diào)節(jié)。出爐/進(jìn)爐方向:下出料。


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        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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