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生長方法：氣煉法/合成
主要成分：SiO2
密度：2.2g/cm^3
熔點(diǎn)：1730℃
莫氏moh’s硬度：7
**安全使用溫度（連續(xù)）：1000-1100℃
**安全使用溫度（短時間）：1300-1400℃
耐熱急變溫度：800-1100℃
熱膨脹系數(shù)CTE：5.4*10^(-7)
介電常數(shù)（0～10^6Hz）：3.7（常溫）
電導(dǎo)率（S/m）：10^(-17)~10^(-16) （20℃ ）
顏色：透明
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