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面議型號
PVT晶體生長爐品牌
合肥露笑產(chǎn)地
安徽樣本
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晶體生長:通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)生長碳化硅晶體。
感應將坩堝加熱至2,000℃以上,控制籽晶處溫度略低于下部微粉處,在坩堝內(nèi)形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的Si2C、SiC2、Si等物質(zhì),在溫度梯度驅(qū)動下到達溫度較低的籽晶處,并在其上結(jié)晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。
暫無數(shù)據(jù)!