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一．設(shè)備概述：

LPCVD低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要工序之一，本設(shè)備主要用于：4-8英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生長。它是將原材料氣體（或者液態(tài)源氣化）用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學(xué)氣相淀積是在低壓下進(jìn)行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大，特別適用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的工業(yè)化生產(chǎn)專用設(shè)備，采用電腦工控機(jī)軟件控制方式，是其性能技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)技術(shù)水平。

二．設(shè)備類型參數(shù)：

三、設(shè)備主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

1★具有強(qiáng)大的操作功能，windows界面，顯示屏操作，用戶可以方便地修改工藝控制參數(shù)，并可隨時(shí)顯示各種工藝狀態(tài)；配有故障自診斷軟件，可大大節(jié)省維修時(shí)間；

2★采用高可靠性工控機(jī)+PLC模式，對(duì)爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閥門等進(jìn)行全自動(dòng)控制,實(shí)現(xiàn)全部工藝過程自動(dòng)化；

3★程序可以實(shí)現(xiàn)手/自動(dòng)工作，在停電或中途停機(jī)后，再次啟動(dòng)可以根據(jù)工藝手動(dòng)升溫，節(jié)省工藝時(shí)間；

4★具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；

5★冷端采用PT100檢測環(huán)境溫度進(jìn)行溫度補(bǔ)償，避免環(huán)境溫度變化，對(duì)爐膛溫度產(chǎn)生影響，避免層間干擾；

6★推拉舟裝載采用SIC懸臂漿，避免與工藝管摩擦產(chǎn)生粉塵，推拉舟運(yùn)行完一個(gè)周期，自動(dòng)校準(zhǔn)位置，有效防止定位偏差； 

7★氣體流量采用數(shù)字化精確控制，采用模擬信號(hào)閉環(huán)控制，強(qiáng)弱電分開，各種數(shù)據(jù)交互采用標(biāo)準(zhǔn)總線，提高抗干擾能力，保證數(shù)據(jù)安全；氣體打開具有緩啟動(dòng)功能；

8★具有多種報(bào)警功能及安全保護(hù)功能；
9★恒溫區(qū)自動(dòng)調(diào)整，串級(jí)控制，可準(zhǔn)確控制反應(yīng)管的實(shí)際工藝溫度；

三、設(shè)備主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

1★具有強(qiáng)大的操作功能，windows界面，顯示屏操作，用戶可以方便地修改工藝控制參數(shù)，并可隨時(shí)顯示各種工藝狀態(tài)；配有故障自診斷軟件，可大大節(jié)省維修時(shí)間；

2★采用高可靠性工控機(jī)+PLC模式，對(duì)爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閥門等進(jìn)行全自動(dòng)控制,實(shí)現(xiàn)全部工藝過程自動(dòng)化；

3★程序可以實(shí)現(xiàn)手/自動(dòng)工作，在停電或中途停機(jī)后，再次啟動(dòng)可以根據(jù)工藝手動(dòng)升溫，節(jié)省工藝時(shí)間；

4★具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；

5★冷端采用PT100檢測環(huán)境溫度進(jìn)行溫度補(bǔ)償，避免環(huán)境溫度變化，對(duì)爐膛溫度產(chǎn)生影響，避免層間干擾；

6★推拉舟裝載采用SIC懸臂漿，避免與工藝管摩擦產(chǎn)生粉塵，推拉舟運(yùn)行完一個(gè)周期，自動(dòng)校準(zhǔn)位置，有效防止定位偏差； 

7★氣體流量采用數(shù)字化精確控制，采用模擬信號(hào)閉環(huán)控制，強(qiáng)弱電分開，各種數(shù)據(jù)交互采用標(biāo)準(zhǔn)總線，提高抗干擾能力，保證數(shù)據(jù)安全；氣體打開具有緩啟動(dòng)功能；

8★具有多種報(bào)警功能及安全保護(hù)功能；
9★恒溫區(qū)自動(dòng)調(diào)整，串級(jí)控制，可準(zhǔn)確控制反應(yīng)管的實(shí)際工藝溫度；