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        深圳先進院制備出高穩(wěn)定性黑磷


        來源:中國科學院

        標簽黑磷
        [導讀]  中國科學院深圳先進技術研究院喻學鋒、王懷雨研發(fā)團隊在二維材料領域取得新突破,制備出高穩(wěn)定性黑磷。
        中國粉體網(wǎng)訊  近日,中國科學院深圳先進技術研究院喻學鋒、王懷雨研發(fā)團隊在二維材料領域取得新突破,制備出高穩(wěn)定性黑磷,相關工作以封面文章Surface Coordination of Black Phosphorus for Robust Air and Water Stability 在線發(fā)表于化學刊物Angew. Chem. Int. Ed. (DOI: 10.1002/anie.201512038)。該工作由博士后趙岳濤等人完成。

          作為二維材料的典型代表,石墨烯的研發(fā)榮獲了2010年諾貝爾物理學獎,并掀起了人們研究二維材料的熱潮。然而,由于石墨稀本身沒有帶隙,限制了它在半導體工業(yè)和光學器件等領域的應用。2014年,與石墨烯一樣擁有二維層狀結構的黑磷,被視為新的超級材料,剛一出現(xiàn)就引起了全世界的廣泛關注。黑磷是一種天然的半導體,其帶隙寬度可調、電學性能優(yōu)越,被認為有望取代硅,成為半導體工業(yè)的核心材料。黑磷的光學性能同其它半導體相比也有巨大優(yōu)勢,它的半導體帶隙是直接帶隙,即導帶底部和價帶頂部在同一位置,這意味著黑磷可以和光直接耦合,構筑新一代光電器件。此外,黑磷還具有獨特的力學、電學和熱學的各向異性。盡管黑磷已在多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力,它卻存在著一個致命缺陷:缺乏穩(wěn)定性。當接觸水和氧氣時,黑磷層片會在極短時間內(nèi)氧化進而降解掉。這一缺陷極大地限制了黑磷的研究和工業(yè)應用。

          為解決黑磷的這一“阿喀琉斯之踵”,研究團隊創(chuàng)造性地提出用配位化學的方法來提高黑磷的穩(wěn)定性。機理研究表明,黑磷之所以穩(wěn)定性差,是因為在其蜂窩狀結構中,磷原子與其它三個磷原子成鍵之后,外層仍有一對孤對電子,該孤對電子易被氧分子奪走,從而造成外層黑磷的氧化,而在有水存在的情況下,表面生成的氧化磷會迅速與水反應而降解掉,這樣暴露出來的黑磷又會繼續(xù)被氧化進而降解。從這一原理出發(fā),研發(fā)團隊設計了一種鈦的苯磺酸酯配體,利用鈦原子的空軌道和苯磺酸酯的強吸電子效應,該配體可與黑磷的孤對電子對進行配位,從而占據(jù)孤對電子,這樣磷原子就無法再與氧氣發(fā)生反應。對比實驗表明:與未經(jīng)修飾的黑磷會迅速降解不同,鈦配體修飾的黑磷能在水中和濕度高達95%的潮濕空氣中放置數(shù)日,而保持光學性能穩(wěn)定。該修飾技術簡單有效,在不改變黑磷晶體結構的前提下,就能極大提高它的穩(wěn)定性。而這種高穩(wěn)定性黑磷的成功制備,無疑可有效推動黑磷在光電器件等領域的工業(yè)應用,還將極大促進其在能源、催化、生物醫(yī)學等領域的深入研究。該研發(fā)團隊已經(jīng)在黑磷研發(fā)領域申請PCT專利1項、國家發(fā)明專利3項,并在積極推進相關技術的產(chǎn)業(yè)化。

          該項目得到了國家自然科學基金、廣東省領軍人才計劃和深圳市孔雀團隊等項目的資助。

        圖:(左) 德國應用化學封面圖片;(中) 鈦配體修飾的黑磷的制備;(右) 未經(jīng)修飾的黑磷和鈦配體修飾的黑磷的穩(wěn)定性比較。

            【點評】這種高穩(wěn)定性黑磷的成功制備,無疑可有效推動黑磷在光電器件等領域的工業(yè)應用,還將極大促進其在能源、催化、生物醫(yī)學等領域的深入研究。黑磷有望借此技術向半導體材料邁出重要一步,取代石墨烯也并非沒有可能。黑磷有望成為新的熱門半導體材料。
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