納米科學(xué)技術(shù)被認(rèn)為是21世紀(jì)頭等重要科學(xué)技術(shù),它是在納米尺度(0.1納米-100納米)上研究物質(zhì)的特性并廣泛應(yīng)用這些特性的多學(xué)科交叉、協(xié)作的科學(xué)技術(shù)。清華大學(xué)在納米科技領(lǐng)域已經(jīng)處于世界科技前沿水平。
清華大學(xué)物理系納米科技實驗室于1997年,在國際上首次制備出氮化鎵一維納晶體,并提出了碳納米管限制反應(yīng)的概念,并己被證實可推廣到制備其它材料的一維納米 晶體,為一維納米材料的制備提供了一條新途徑。
1998年,實現(xiàn)了硅襯底上碳納米管陣列的自組織生長。這項發(fā)明利用與微電子工業(yè)兼容的技術(shù)制備制碳納米管陣列,將會推進(jìn)碳納米管在場發(fā)射平面顯示和納米器件領(lǐng)域的應(yīng)用研究。目前這項技術(shù)也已被成功地用于硅和氮化鎵等半導(dǎo)體納米線的定位、定向生長。
清華大學(xué)物理系納米科技實驗室的研究成果受到了國內(nèi)外同行的廣泛重視,研究成果也曾被列入一九九八年中國十大科技新聞、高等學(xué)校十大科技進(jìn)展和科技部十項基礎(chǔ)研究成果,課題負(fù)責(zé)人范守善教授曾獲首屆“長江學(xué)者成就獎”二等獎。
清華大學(xué)物理系納米科技實驗室于1997年,在國際上首次制備出氮化鎵一維納晶體,并提出了碳納米管限制反應(yīng)的概念,并己被證實可推廣到制備其它材料的一維納米 晶體,為一維納米材料的制備提供了一條新途徑。
1998年,實現(xiàn)了硅襯底上碳納米管陣列的自組織生長。這項發(fā)明利用與微電子工業(yè)兼容的技術(shù)制備制碳納米管陣列,將會推進(jìn)碳納米管在場發(fā)射平面顯示和納米器件領(lǐng)域的應(yīng)用研究。目前這項技術(shù)也已被成功地用于硅和氮化鎵等半導(dǎo)體納米線的定位、定向生長。
清華大學(xué)物理系納米科技實驗室的研究成果受到了國內(nèi)外同行的廣泛重視,研究成果也曾被列入一九九八年中國十大科技新聞、高等學(xué)校十大科技進(jìn)展和科技部十項基礎(chǔ)研究成果,課題負(fù)責(zé)人范守善教授曾獲首屆“長江學(xué)者成就獎”二等獎。