中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近期，北京市科技計(jì)劃課題“大面積單晶石墨烯薄膜快速制備技術(shù)研究”驗(yàn)收通過(guò)專(zhuān)家組驗(yàn)收。
石墨烯材料性質(zhì)優(yōu)異，可用于構(gòu)筑高性能微納電子器件和柔性透明導(dǎo)電薄膜，同時(shí)也能作為優(yōu)異的支撐、封裝和阻隔材料。大面積高質(zhì)量的石墨烯薄膜是這些高端應(yīng)用的材料基礎(chǔ)。作為制備大面積高質(zhì)量石墨烯薄膜材料的首選方法，化學(xué)氣相沉積法制備的石墨烯薄膜存在疇區(qū)尺寸小、晶界和缺陷密度高、大疇區(qū)石墨烯生長(zhǎng)速度慢、產(chǎn)能低等問(wèn)題，嚴(yán)重制約了石墨烯薄膜的應(yīng)用。
在北京市科委支持下，北京大學(xué)彭海琳教授團(tuán)隊(duì)發(fā)明了“單一晶種快速生長(zhǎng)法”和“陣列晶種同向拼接法”等多種大面積單晶石墨烯薄膜的快速制備技術(shù)，運(yùn)用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單晶石墨烯薄膜制備面積達(dá)到英寸級(jí)，生長(zhǎng)速度0.36cm/min，并成功研發(fā)了高質(zhì)量石墨烯薄膜和石墨烯大單晶晶圓的量產(chǎn)裝備。另外，團(tuán)隊(duì)還通過(guò)發(fā)展大單晶石墨烯的骨架摻雜的生長(zhǎng)技術(shù)獲得了高導(dǎo)電性和高透光性的石墨烯單晶薄膜。此外，通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)有石墨烯的銅箔基底直接進(jìn)行選擇性刻蝕，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量石墨烯單晶支撐膜的低成本批量制備，支撐膜面積大于100mm2，并可用作原子級(jí)分辨率透射電鏡成像載網(wǎng)。
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