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        一文了解NASICON型陶瓷電解質(zhì)


        來源:中國粉體網(wǎng)   山川

        [導(dǎo)讀]  鋰離子電池在生活中的廣泛應(yīng)用大大提高了人們的生活品質(zhì)。但是由于采用了易燃的有機(jī)液體電解質(zhì),傳統(tǒng)鋰離子電池存在安全風(fēng)險,能量密度也受到了限制。使用固體電解質(zhì)替代有機(jī)液體電解質(zhì)發(fā)展全固態(tài)電池有望解決這些問題。在各種固體電解質(zhì)中,NASICON結(jié)構(gòu)固體電解質(zhì)具有離子電導(dǎo)率高、耐環(huán)境穩(wěn)定性好,合成條件溫和等優(yōu)勢,因此有廣闊的發(fā)展前景和應(yīng)用潛力。

        中國粉體網(wǎng)訊  鋰離子電池在生活中的廣泛應(yīng)用大大提高了人們的生活品質(zhì)。但是由于采用了易燃的有機(jī)液體電解質(zhì),傳統(tǒng)鋰離子電池存在安全風(fēng)險,能量密度也受到了限制。使用固體電解質(zhì)替代有機(jī)液體電解質(zhì)發(fā)展全固態(tài)電池有望解決這些問題。在各種固體電解質(zhì)中,NASICON結(jié)構(gòu)固體電解質(zhì)具有離子電導(dǎo)率高、耐環(huán)境穩(wěn)定性好,合成條件溫和等優(yōu)勢,因此有廣闊的發(fā)展前景和應(yīng)用潛力。


        NASICON型電解質(zhì)的結(jié)構(gòu)


        NASICON型化合物的分子式為AM′M″P3O12,其中A通常為一價傳輸陽離子,如Na、K、Li等堿金屬離子。M′和M″位置既可以是二價、三價陽離子(如Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cr3+、Al3+、Sc3+、Fe3+、In3+和Y3+等),也可以是四價或五價陽離子(如Ti4+、Zr4+、Ge4+、Sn4+、V5+、Nb5+、As5+等)。此外,P5+也可以被其他高價離子如Si4+、V5+、Nb5+等摻雜或取代。如此豐富的元素可以在NASICON結(jié)構(gòu)的各個位點(diǎn)進(jìn)行摻雜或取代,使得具有NASICON結(jié)構(gòu)的電解質(zhì)在全固態(tài)鋰電池的研發(fā)中有著巨大的潛力。


        在NASICON結(jié)構(gòu)的化合物中,當(dāng)一價傳輸離子為鋰離子時,便得到了NASICON型鋰離子電解質(zhì),其通式為Li(A2P3O12),其中A為Ti4+、Zr4+、Ge4+、Hf4+、Sn4+等四價陽離子。


        NASICON型鋰離子電解質(zhì)的制備


        目前,制備NASICON型鋰離子電解質(zhì)常用的方法為高溫固相法和溶膠-凝膠法。在制備過程中,原料配比、混合方式、成型和燒結(jié)技術(shù)都是影響電解質(zhì)電導(dǎo)率的因素。


        1、高溫固相合成法


        高溫固相合成法是將原材料按一定比例破碎、研磨,然后在高溫下進(jìn)行燒結(jié)、結(jié)晶的一種傳統(tǒng)制備方法,也是制備NASICON型鋰離子電解質(zhì)的常用方法。此種方法原材料易得、操作方便、便于工業(yè)規(guī);a(chǎn)。但因燒結(jié)溫度過高,導(dǎo)致鋰和磷的揮發(fā),可能會降低電解質(zhì)材料的電導(dǎo)率。因此,在制備過程中往往需要一定的操作條件,才能得到具有較高電導(dǎo)率的NASICON型鋰離子電解質(zhì)。


        2、溶膠-凝膠法


        溶膠-凝膠法是將金屬無機(jī)鹽或者金屬醇溶于水中,進(jìn)行均勻混合、水解、縮合反應(yīng)形成穩(wěn)定透明的溶膠體系,然后經(jīng)脫水聚合形成凝膠,最后經(jīng)過干燥、煅燒得到最終產(chǎn)物。溶膠-凝膠法較容易進(jìn)行、合成溫度低,且在摻雜時,很容易實(shí)現(xiàn)分子上的均勻摻雜。利用溶膠-凝膠法制備NASICON電解質(zhì)時,水熱反應(yīng)時間、前驅(qū)體溶液pH、有機(jī)化合物與金屬陽離子配比等工藝參數(shù)對生成物都有很大影響。


        3、共沉淀法


        通過共沉淀法,在劇烈攪拌下,將Li2C2O4和Al(NO3)3·9H2O的混合水溶液加入NH4HCO3溶液中獲得共沉淀物,然后加入Ti(C3H7O)4和NH4H2PO4溶液。100℃下蒸發(fā)溶劑后,在500~900℃下煅燒30min。煅燒溫度為800℃時得到的LATP(x=0.5)離子電導(dǎo)率最高。


        4、熔融-淬火


        通過燒結(jié)獲得的LATP固體電解質(zhì)片體總是會存在一定數(shù)量的孔隙,這會降低LATP總的離子電導(dǎo)率,而熔融-淬火方法可以制備沒有孔隙的致密LATP陶瓷,離子電導(dǎo)率甚至能達(dá)到1.3×10−3S/cm。熔融-淬火方法包括原料的混合、預(yù)熱(釋放揮發(fā)性物質(zhì)H2O、CO2和NH3等)、高溫熔融和淬火等環(huán)節(jié)。


        如何提高NASICON電解質(zhì)的電導(dǎo)率


        NASICON型鋰離子電解質(zhì)材料的阻抗主要來自于體相阻抗和晶界阻抗。為了降低阻抗,提高電導(dǎo)率,一方面在合成工藝上進(jìn)行改善,另一方面則是對電解質(zhì)材料進(jìn)行摻雜改性。


        1、體相摻雜


        提高固體電解質(zhì)的本征離子電導(dǎo)率可以從兩方面考慮:


        (1)提高載流子濃度;


        (2)提高載流子移動性。


        固體電解質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)對載流子的移動性起著決定性作用,元素?fù)诫s可以調(diào)整晶體結(jié)構(gòu),使之更適合載流子傳輸,異價元素?fù)诫s還能提高載流子濃度。


        2、晶界雜質(zhì)與缺陷調(diào)控


        一般來說,固體電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率使用粉末壓制燒結(jié)形成的陶瓷片,通過交流阻抗譜測試得到。阻抗譜含有LATP本征(體相)和晶界的離子傳導(dǎo)阻抗,晶界的存在會使總的離子電導(dǎo)率降低,且對于LATP,晶界阻抗比體相阻抗大得多,對總離子電導(dǎo)率有著極大的影響。晶界阻抗受到晶界缺陷,如陶瓷片的裂紋、燒結(jié)不充分引起的孔隙等,以及雜質(zhì)相的影響,減少晶界缺陷和雜質(zhì)相可以提高LATP總的離子電導(dǎo)率。


        參考來源:

        [1]呂曉娟等.NASICON型無機(jī)固態(tài)鋰離子電解質(zhì)的研究進(jìn)展

        [2]吳潔.NASICON結(jié)構(gòu)Li1+xAlxTi2−x(PO4)3(0≤x≤0.5)固體電解質(zhì)研究進(jìn)展


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)


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        作者:山川

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