中國粉體網(wǎng)訊  9月1日，南京江北新區(qū)舉辦以“投資江北共贏未來”為主題的金秋重點產(chǎn)業(yè)項目簽約會。32個產(chǎn)業(yè)項目在會上集中簽約，投資總額達455億元，其中包括總投資65億元的第三代半導體碳化硅襯底關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，該項目主體為江蘇超芯星半導體有限公司（以下簡稱“超芯星”）。

半導體行業(yè)普遍認為，最有希望彎道超車的領(lǐng)域就是技術(shù)差距較小的第三代半導體。碳化硅正是第三代半導體的核心材料，相比于傳統(tǒng)的硅基材料，碳化硅更適應高溫、高壓、高頻率和大功率。以電動汽車為例，采用碳化硅芯片，將使電驅(qū)裝置的體積縮小為五分之一，電動汽車行駛損耗降低60%以上，相同電池容量下里程數(shù)顯著提高。有行業(yè)調(diào)研機構(gòu)預估，2025年碳化硅僅在電動車應用的市場規(guī)模即可達6.5億美元，未來5年年增長率將達25％至30％。

碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個環(huán)節(jié)：分別是上游襯底，中游外延片和下游器件制造。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，長晶難度大，技術(shù)壁壘高。

資料顯示，超芯星成立于2019年，由海歸博士創(chuàng)立，是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體企業(yè)，致力于6-8英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，擁有20多年碳化硅技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。公司通過引進技術(shù)人才和專家，融合美、歐、日等國家先進技術(shù)，不斷迭代升級和自我超越，完成裝備、長晶、加工、檢測等多項核心領(lǐng)域整合，實現(xiàn)我國6英寸碳化硅襯底在國際上的新突破。今年7月26日，超芯星宣布其“6英寸碳化硅襯底進入美國一流器件廠商”，同時“計劃將6-8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)量提升至150萬片”。

信息來源：芯智訊、超芯星半導體官網(wǎng)、新華日報