1. <center id="ihmue"></center>
        <mark id="ihmue"></mark>

        <samp id="ihmue"></samp>

        精品国产午夜理论片不卡_99这里只有精品_黑人大战亚洲人精品一区_精品国产免费一区二区三区香蕉_99久久精品美女高潮喷水

        中國的碳化硅,密謀逆襲!


        來源:The Ojo-Yoshida Report

        [導(dǎo)讀]  中國在晶圓生產(chǎn)和器件制造方面要趕上西方碳化硅供應(yīng)商還有多久?

        中國粉體網(wǎng)訊  在蓬勃發(fā)展的電動汽車需求和半導(dǎo)體自給自足的長期目標(biāo)的推動下,中國致力于發(fā)展基于碳化硅 (SiC) 的電力電子產(chǎn)品。中國超越西方碳化硅供應(yīng)商的計劃是什么?


        來源:SICC


        問題來了:中國的碳化硅“玩家”有哪些?中國在新興技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)施上投入了多少資金?中國供應(yīng)商是否正在制定不同的商業(yè)戰(zhàn)略來征服 SiC 市場?這些謎題中的每一個都讓全球電力電子高管徹夜難眠。


        Yole Intelligence 化合物半導(dǎo)體團隊首席分析師 Ezgi Dogmus 表示,中國SiC 是“脫鉤時代”的典型代表。


        在當(dāng)今復(fù)雜的形勢下,技術(shù)沿著不同的路徑發(fā)展。例如,西方 SiC 供應(yīng)商可能在中國成立合資企業(yè),從而實現(xiàn)統(tǒng)一的全球 SiC 研發(fā)和生產(chǎn)的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了。我們在這個脫鉤時代”看到的是兩個獨立的 SiC 技術(shù)、制造和供應(yīng)鏈基礎(chǔ)設(shè)施的并行發(fā)展。


        “我們將看到競爭格局如何形成,”O(jiān)nsemi 執(zhí)行副總裁兼電源解決方案集團總經(jīng)理 Simon Keeton 在最近接受 Ojo-Yoshida Report 采訪時指出!捌駷橹,我還沒有看到中國在碳化硅器件方面的競爭!


        為了滿足電動汽車的動力需求,中國仍然從美國、歐洲和日本的制造商那里采購SiC器件。其中包括 Onsemi、Infineon、STMicroelectronics、Wolfspeed 和 Rohm。誰也無法猜測中國多久能夠扭轉(zhuǎn)供應(yīng)鏈。


        目前,西方的許多SiC企業(yè)淡化了中國在全球市場上的作用,主要是因為中國的投資集中在SiC晶圓上,而不是SiC MOSFET等器件級開發(fā)。Yole的Dogmus表示,那些在中國建立SiC產(chǎn)能和能力的器件廠商還沒有能力與歐盟和美國的廠商競爭。


        但情況正在開始發(fā)生變化。在上個月的慕尼黑電子展上,英飛凌科技公司的首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck指出:"我看到中國打算用寬帶隙半導(dǎo)體,尤其是用碳化硅來取代硅功率半導(dǎo)體!


        鑒于中國需求的增長,Hanebeck 警告不要低估中國:“如果一些中國芯片制造商很快能夠提供SiC 創(chuàng)新,我不會感到驚訝。從統(tǒng)計上來說,這很有可能!


        動機


        中國將電力電子視為進入全球半導(dǎo)體行業(yè)的跳板。中國正在 SiC 領(lǐng)域打一場持久戰(zhàn),目標(biāo)是在未來十年內(nèi)最終超越西方制造商。


        計劃


        在2021年3月發(fā)布的最新五年計劃(2021-2025)中,北京將 SiC 確定為“第三代半導(dǎo)體”中最有前途的技術(shù)之一。規(guī)劃者認(rèn)為碳化硅對中國的“新基建”至關(guān)重要。功率半導(dǎo)體器件的快速采用將加速中國在手機快速充電、電動汽車和 5G 通信方面的發(fā)展。


        催化劑


        SiC在中國的發(fā)展勢頭源于強勁的電動車需求。自從比亞迪在2020年推出漢EV——中國第一輛基于SiC主逆變器的電動車以來,從Nio到Xpeng的眾多中國電動車OEM正在推出基于SiC技術(shù)的電動車車型。


        基于 SiC 的器件的優(yōu)點包括能量耗散更少。SiC 器件在更高頻率下的開關(guān)效率也高于標(biāo)準(zhǔn)芯片。其結(jié)果是運行效率更高、尺寸更小、重量更輕,從而提供更小的設(shè)計,同時降低了電動汽車的冷卻要求。


        中國的電動車公司現(xiàn)在正從西方供應(yīng)商那里采購SiC器件。其目的是減弱其電動車行業(yè)對外國供應(yīng)商的依賴性。


        參與者


        與西方SiC供應(yīng)商處理整個供應(yīng)鏈不同,中國企業(yè)采取了一種更細(xì)分的方法,專注于SiC生產(chǎn)過程的某些部分。其中包括SiC 晶錠(或襯底)、SiC外延和芯片加工、二極管和晶體管設(shè)計以及模塊封裝。在每個SiC供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)都出現(xiàn)了“玩家”。


        中國的SiC“玩家”來自非常不同的背景,范圍從晶圓制造商到汽車制造商。


        中國領(lǐng)先的SiC襯底企業(yè)包括TankeBlue和SICC。Yole的Dogmus補充說:"Sunlight和SEMISiC也是值得密切關(guān)注的企業(yè)。" 三安集成電路公司采用混合業(yè)務(wù)模式,將代工和集成器件制造(IDM)業(yè)務(wù)結(jié)合起來,同時也在從事襯底制造。


        雖然缺乏一個領(lǐng)先的IDM,但中國可以通過利用其整體制造能力來彌補其目前在SiC晶圓、器件和模塊方面的不足。Dogmus說,"中國因其在消費產(chǎn)品方面的成功而聞名,在代工廠、封裝等方面形成了成熟的分工。


        例如,"中國企業(yè)在SiC襯底、外延片和封裝方面都有很好的定位"。SiC器件制造 "被認(rèn)為是下一輪競爭的關(guān)鍵步驟,"她說。Dogmus預(yù)計主要的IDM將建立大規(guī)模的器件產(chǎn)能。"這是一個誰在價值鏈中占據(jù)更高份額的問題"。


        Yole 斷言,中國器件制造商可能很快會生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的 SiC 二極管。像 SiC MOSFET 這樣的器件是另一回事!埃▽χ袊⿷(yīng)商而言)可能需要三年或更長時間才能實現(xiàn)量產(chǎn)。截至目前,三安集成發(fā)布了車規(guī)級 MOSFET,但尚未實現(xiàn)量產(chǎn)。”Yole 報道稱。



        來源:Yole Intelligence


        投資


        世界各地的 SiC 廠商都在對晶圓進行大量投資。


        Yole化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場高級分析師Poshun Chiu告訴我們:"襯底是SiC器件成本的一個非常大的部分....。對于參與者來說,擁有自己的內(nèi)部供應(yīng)是非常重要的,這樣他們就可以長期控制其器件開發(fā)的內(nèi)部成本"。


        這也解釋了最近幾個月西方 SiC 廠商紛紛宣布投資 SiC 晶圓生產(chǎn)的原因。


        中國的投資活動也集中在SiC晶圓生產(chǎn)上。中國領(lǐng)先的n型SiC供應(yīng)商TankeBlue公司已投入10億美元在大興和北京建設(shè)6英寸和8英寸晶圓生產(chǎn)線。Yole表示,一期工程預(yù)計今年完成,年產(chǎn)10萬片晶圓,計劃在 2025 年擴大產(chǎn)能。TankeBlue 還瞄準(zhǔn)了制造設(shè)備領(lǐng)域。


        SICC是另一家專注于射頻應(yīng)用的碳化硅晶圓公司,于1月在上海交易所上市,為位于上海臨港保稅區(qū)的生產(chǎn)n型碳化硅晶圓的工廠融資。據(jù)Yole報道,其產(chǎn)能目標(biāo)是在2024年達到每年30萬片6英寸n型碳化硅晶圓。


        立足于LED(GaN/GaAs)領(lǐng)域的三安光電,與三安集成電路在廈門開展化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。三安在湖南的一家工廠投資 23 億美元,以支持 SiC 晶體生長、晶圓和外延片生產(chǎn)以及器件制造和封裝。


        SMIC通過投資位于紹興的中芯集成(SMEC) 進入 SiC 市場。SMEC 成立于 2018 年,為 MEMS、IGBT 和 MOSFET 提供工藝平臺。中芯國際現(xiàn)在為包括 SiC 在內(nèi)的寬帶隙半導(dǎo)體提供代工服務(wù)和模塊封裝。


        比亞迪計劃分拆其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),通過寧波的6英寸晶圓廠開發(fā)內(nèi)部IGBT和SiC器件。到2026年,1億美元的產(chǎn)能擴張將每月提供2萬塊6英寸晶圓。


        競爭


        西方碳化硅供應(yīng)商在面對中國碳化硅競爭對手之前可能有幾年的緩沖期。


        英飛凌首席執(zhí)行官Hanebeck指出,為了在基于SiC的電源系統(tǒng)中處于領(lǐng)先地位,制造商必須超越 "單個開關(guān),了解應(yīng)用和整個系統(tǒng)"。因此,英飛凌正在研究的不僅僅是電源開關(guān)的芯片組,還有驅(qū)動器、微控制器和配套的軟件。


        Wolfspeed 首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 將 SiC 描述為“一項棘手的技術(shù),目前世界上還沒有真正大量的知識!


        Lowe 預(yù)見 SiC 行業(yè)還有很長的路要走,以推動技術(shù)創(chuàng)新,同時削減成本和提高產(chǎn)量,這需要很大的耐心。


        到目前為止,還沒有西方碳化硅供應(yīng)商向中國供應(yīng)碳化硅晶錠。Yole 的 Dogmus 觀察到:“一般來說,晶圓供應(yīng)商更愿意在內(nèi)部擁有‘神奇秘方’,并將其保存在增長的國家/地區(qū)!


        Dogmus指出,鑒于中美之間的技術(shù)競爭,知識產(chǎn)權(quán)保護勢在必行。晶圓生產(chǎn)商必須擁有自己的配方和知識產(chǎn)權(quán)。知識產(chǎn)權(quán)將是所有新加入者的問題,包括中國和歐洲。在制造設(shè)備領(lǐng)域,中國有多家熔爐和備件供應(yīng)商,這有助于中國新企業(yè)的發(fā)展和進入。



        來源:Yole Intelligence


        結(jié)語


        如果碳化硅是一場持久戰(zhàn),那么中國可以通過培育其電力電子行業(yè)而占得先機。Yole報告說,由于沒有季度目標(biāo),中國有 大量的時間和金錢以及數(shù)百萬熟練的員工,可以在SiC領(lǐng)域取得成功。在“脫鉤時代”, 全球SiC產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)出兩個動態(tài)并行發(fā)展的SiC生態(tài)圈。


        本文編譯自The Ojo-Yoshida Report

        SiC in China: ‘Poster Child of the Decoupling Era’

        作者:Junko Yoshida

        https://ojoyoshidareport.com/sic-in-china-poster-child-of-the-decoupling-era/


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

        注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知刪除


        推薦10
        相關(guān)新聞:
        網(wǎng)友評論:
        0條評論/0人參與 網(wǎng)友評論

        版權(quán)與免責(zé)聲明:

        ① 凡本網(wǎng)注明"來源:中國粉體網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于中國粉體網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:中國粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。

        ② 本網(wǎng)凡注明"來源:xxx(非本網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。

        ③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

        粉體大數(shù)據(jù)研究
        • 即時排行
        • 周排行
        • 月度排行
        圖片新聞
        色欲人妻综合网_99这里只有精品_黑人大战亚洲人精品一区_精品国产免费一区二区三区香蕉
          1. <center id="ihmue"></center>
            <mark id="ihmue"></mark>

            <samp id="ihmue"></samp>