中國粉體網訊  近日，派恩杰半導體（浙江）有限公司連續(xù)完成A2輪、A3輪合計近5億元融資，近5億元融資的完成為派恩杰半導體的長遠布局提供了關鍵支撐。主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠資管、上海半導體裝備材料產業(yè)投資基金、南京創(chuàng)投、山證創(chuàng)新、坤泰資本等。

來源：官網

派恩杰半導體成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產品。其中，派恩杰半導體的碳化硅MOSFET的設計水平處于行業(yè)前列，關鍵技術指標HDFM全球領先。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，能夠為客戶提供全方位的選擇和技術支持。派恩杰半導體的量產產品已在電動汽車，IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。派恩杰憑借扎實的技術積累、清晰的戰(zhàn)略布局及已驗證的產業(yè)化能力，獲得了新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等各領域客戶的高度認可。

來源：官網

隨著新能源汽車、光伏儲能等市場對碳化硅器件的需求激增，全球產業(yè)正加速從6英寸向8英寸晶圓制造演進。相較主流6英寸工藝，8英寸技術可使單位芯片成本降低超30%，8英寸晶圓厚度的增加將有效減少晶圓翹曲、降低缺陷密度，能夠推動碳化硅產品更加廣泛的市場應用。

據悉，派恩杰通過與代工廠COT模式的深度合作，已構建覆蓋器件設計、工藝開發(fā)、量產管控的全鏈條技術體系。為搶占布局8英寸技術，派恩杰已完成多個關鍵工藝節(jié)點的技術創(chuàng)新，把握技術的先發(fā)優(yōu)勢。預計2025年第四季度，該公司8英寸碳化硅將實現(xiàn)量產，屆時產品性價比優(yōu)勢將進一步凸顯，為客戶提供更具競爭優(yōu)勢的解決方案。

派恩杰此次融資資金將重點用于研發(fā)投入、供應鏈建設及全球化市場布局等，著力提升派恩杰產品在性能、可靠性及成本控制等方面的綜合競爭力，也為派恩杰半導體的長遠布局提供了關鍵支撐，派恩杰的產業(yè)布局將會重點圍繞技術創(chuàng)新、產業(yè)化、客戶服務三大主線展開。

參考來源：

第三代半導體產業(yè)、派恩杰官網、半導體在線

（中國粉體網編輯整理/山林）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權告知刪除！