中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，美國(guó)政府發(fā)布關(guān)于“對(duì)等關(guān)稅”的行政令，引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。

一、加征關(guān)稅基本情況

自2018年起，美國(guó)政府持續(xù)升級(jí)對(duì)華貿(mào)易限制措施，通過(guò)關(guān)稅調(diào)整和出口管制多維度施壓。2018年7月，美國(guó)對(duì)500億美元中國(guó)輸美商品加征25%關(guān)稅，次年5月進(jìn)一步將2,000億美元中國(guó)商品的關(guān)稅稅率從10%提升至25%。在2024年的新一輪經(jīng)貿(mào)博弈中，美國(guó)政府將電動(dòng)汽車(chē)、半導(dǎo)體、醫(yī)療設(shè)備等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)作為重點(diǎn)對(duì)象，大幅加征相關(guān)產(chǎn)品關(guān)稅。同年10月，通過(guò)商務(wù)部將數(shù)十家中國(guó)實(shí)體列入“實(shí)體清單”和“未經(jīng)驗(yàn)證清單”，實(shí)施嚴(yán)格技術(shù)出口管制。

2025年2月1日和3月3日，美國(guó)政府分兩次對(duì)中國(guó)輸美商品各加征10%關(guān)稅，累計(jì)提升關(guān)稅稅率達(dá)20%；4月3日出臺(tái)的“對(duì)等關(guān)稅”政策進(jìn)一步重構(gòu)全球貿(mào)易格局，對(duì)中國(guó)大陸商品征收34%稅率，同時(shí)對(duì)越南、泰國(guó)、印度尼西亞、馬來(lái)西亞等中國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈外遷主要承接國(guó)實(shí)施梯度稅率。2025年4月10日，美國(guó)政府宣布對(duì)中國(guó)輸美商品征收“對(duì)等關(guān)稅”的稅率進(jìn)一步提高至125%。

二、CMP發(fā)展概況

CMP是半導(dǎo)體制造中用于晶圓表面平坦化的核心技術(shù)，涉及設(shè)備（如拋光機(jī)）和材料（如拋光液、拋光墊）兩大領(lǐng)域。目前，全球CMP市場(chǎng)主要由美日企業(yè)主導(dǎo)，而中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，CMP設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程直接關(guān)系到芯片制造的自主可控能力。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模由2015年約15.90億美元增長(zhǎng)至2022年約29.90億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為9.44%。

2015-2022年全球半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)規(guī)模及趨勢(shì)（億美元）

我國(guó)半導(dǎo)體CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模由2015年約21.30億元增長(zhǎng)至2022年約49.90億元，復(fù)合增長(zhǎng)率為12.93%，相較全球?qū)崿F(xiàn)了更加快速的發(fā)展。

2015-2022年中國(guó)半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)規(guī)模及趨勢(shì)（億元，人民幣）

三、對(duì)CMP行業(yè)的影響

1.關(guān)鍵原材料與設(shè)備依賴(lài)進(jìn)口，國(guó)外企業(yè)壟斷，致使國(guó)內(nèi)企業(yè)成本上升

關(guān)鍵材料及設(shè)備被壟斷：

（1）CMP拋光液

拋光液上游材料中，主要原材料研磨顆粒的制造技術(shù)掌握在國(guó)外企業(yè)手中。目前卡博特（Cabot）、慧瞻材料（Versum）、英特格（Entegris）、安集科技等拋光液企業(yè)主要向第三方采購(gòu)核心磨粒材料。二氧化硅磨粒使用最廣泛（70%），但被日產(chǎn)化學(xué)、扶�；瘜W(xué)、阿克蘇諾貝爾公司等海外巨頭壟斷。比利時(shí)索爾維作為全球最大的氧化鈰研磨顆粒制造商，壟斷了氧化鈰研磨顆粒。

根據(jù) QY Research 數(shù)據(jù)，全球CMP拋光液市場(chǎng)主要被美國(guó)CMC Materials（原 Cabot）、日本力森諾科（Resonac）、美國(guó)VSM（Versum Materials）和日本福吉米（Fujimi）等美日企業(yè)壟斷，競(jìng)爭(zhēng)格局較為集中。

（2）CMP拋光墊

拋光墊全球市場(chǎng)集中度高，市場(chǎng)份額主要被杜邦占據(jù)，其占全球79%的市場(chǎng)份額。

（3）CMP設(shè)備

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SEMI數(shù)據(jù)，2022年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備的銷(xiāo)售額達(dá)283億美元，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)26.30%的份額，2023年銷(xiāo)售額達(dá)366億美元。

全球CMP設(shè)備市場(chǎng)幾乎被美國(guó)應(yīng)用材料（AppliedMaterials,Inc）和日本荏原（EbaraCorporation）兩家公司壟斷，它們占據(jù)了90%以上的市場(chǎng)份額，尤其是在14nm以下先進(jìn)制程領(lǐng)域，幾乎完全依賴(lài)這兩家企業(yè)。

國(guó)內(nèi)企業(yè)在逐步發(fā)展：

就CMP設(shè)備來(lái)看，目前我國(guó)僅有華海清科、晶亦精微等少數(shù)幾家企業(yè)可量產(chǎn)CMP設(shè)備，但市場(chǎng)占有率仍然不高，處于加速追趕階段。安集科技、上海新安納、江豐電子、鼎龍股份等CMP拋光材料企業(yè)也在奮起直追。

2.技術(shù)壁壘、客戶(hù)認(rèn)證壁壘、出口管制將對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)生更大限制

CMP拋光材料的技術(shù)更新動(dòng)力源自下游晶圓的技術(shù)更新。晶圓制程不斷提高，從1971年的10微米到現(xiàn)在的10納米、7納米甚至5納米。為了追趕摩爾定律，制程工藝大約2年就能更新一次，往往是這邊的技術(shù)還沒(méi)趕上，那邊的新技術(shù)又出來(lái)了。因此為了滿(mǎn)足更細(xì)致的工藝，對(duì)CMP材料也有著更高的要求。

試錯(cuò)成本也成為了CMP材料的技術(shù)壁壘。拋光材料要不斷找到合適配方、穩(wěn)定制作工藝及設(shè)計(jì)圖案，從而獲得較好的、穩(wěn)定的拋光速率和拋光效果，所以企業(yè)研究CMP耗材時(shí)間成本較高，需要較長(zhǎng)時(shí)間來(lái)試錯(cuò)摸索工藝指標(biāo)、產(chǎn)品配方等對(duì)物理參數(shù)及性能的影響結(jié)果，形成較深的Know-How壁壘。

此外，在晶圓加工的多重工藝環(huán)節(jié)中，CMP材料的產(chǎn)品性能、可靠性以及工藝穩(wěn)定性直接對(duì)晶圓產(chǎn)品的性能及良率產(chǎn)生重要影響，下游客戶(hù)對(duì)CMP材料供應(yīng)商和產(chǎn)品均有極高的要求。在選擇CMP拋光材料時(shí)，客戶(hù)往往會(huì)通過(guò)多重測(cè)試環(huán)節(jié)后，才會(huì)做出大批量采購(gòu)決策，一旦客戶(hù)予以產(chǎn)品認(rèn)證，并形成穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系之后，客戶(hù)與供應(yīng)商就建立了非常緊密的合作關(guān)系。

隨著中美關(guān)系緊張，美國(guó)加強(qiáng)了對(duì)半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備和材料出口的管制，如對(duì)華為、中芯國(guó)際的限制。這直接影響了中國(guó)CMP行業(yè)獲取先進(jìn)工藝設(shè)備的能力，延緩了技術(shù)升級(jí)。

3.推動(dòng)CMP國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程

鑒于CMP拋光材料對(duì)產(chǎn)品性能、可靠性以及穩(wěn)定性的要求嚴(yán)格，替換成本高，從而導(dǎo)致下游客戶(hù)更換供應(yīng)商意愿不強(qiáng)，一定程度上保障了上游供應(yīng)商的產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，一旦國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，進(jìn)入供應(yīng)鏈后，則難以被替代。同時(shí)，因海外半導(dǎo)體材料供應(yīng)不確定性加劇，擾動(dòng)國(guó)內(nèi)晶圓大廠材料的供應(yīng)鏈，“對(duì)等關(guān)稅”政策下，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)采購(gòu)美國(guó)產(chǎn)品的成本上升，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程提速，倒逼本土晶圓廠商加速?lài)?guó)產(chǎn)CMP材料的產(chǎn)品認(rèn)證，提升供需方CMP產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代的共研意愿，一旦實(shí)現(xiàn)突破，便自動(dòng)形成上述競(jìng)爭(zhēng)壁壘，助力CMP拋光材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。

參考來(lái)源：

[1] 巨潮資訊網(wǎng)、中國(guó)粉體網(wǎng)、科技日?qǐng)?bào)、財(cái)政部網(wǎng)站、證券日?qǐng)?bào)網(wǎng)、CMP拋光資訊、金木資本、EAR

[2] HORIBA：Semiconductor Processing: Chemical Mechanical Planarization

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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