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Nicomp納米粒度儀數(shù)據(jù)說明
上海奧法美嘉生物科技有限公司 2023/11/10 | 閱讀：752
產(chǎn)品配置單： 
型號： PSS Nicomp 380 N3000 產(chǎn)地： 美國 品牌：
500000元
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 聯(lián)系電話方案詳情：
Entegris Nicomp?動態(tài)光散射（DLS）系統(tǒng)是一種易于使用的粒度和zeta電位分析儀。本技術(shù)文檔顯示了Nicomp的典型結(jié)果，并對聲場的數(shù)據(jù)進行解析說明。 關(guān)鍵詞:粒度分析儀；DLS；電位分析儀 1. 簡介：動態(tài)光散射 DLS 技術(shù)是測量 1 nm 至約 10 μm 懸浮液粒徑的理想方法（取決于顆粒密度）。Nicomp系統(tǒng)的簡化光學(xué)圖如圖1所示。 粒子布朗運動產(chǎn)生的光散射導(dǎo)致探測器上的光字計數(shù)波動。波動的時間特征用于創(chuàng)建相關(guān)函數(shù)，由此確定平移擴散系數(shù)D。然后使用斯托克斯-愛因斯坦方程計算粒徑R：
圖 1. DLS光學(xué)器件 2. 結(jié)果解析 窄分布的聚苯乙烯乳膠標準品（PSL）的典型結(jié)果如圖2所示。
圖2. Nicomp DLS 結(jié)果 這是一個強度加權(quán)高斯分布，因此完整的結(jié)果可以用兩個數(shù)字定義；平均值和均方差。但是DLS1的ISO標準建議應(yīng)使用平均值和多分散指數(shù)PI報告結(jié)果。 ISO 22412-2008中使用的命名法在技術(shù)上是準確的，但在現(xiàn)實中很少使用。例如，用于強度加權(quán)平均直徑的術(shù)語是 下面描述了圖 2 中從左到右、從上到下顯示的所有報告值。 平均直徑 = 強度分布的平均直徑（光強徑） , 還有 Stnd. Dev. = 強度分布的標準偏差, 占總分布的68.2% ± 1 Norm. Stnd. Dev. = Stnd. Dev./Mean 方差 (PI) = 多分散系數(shù)，定義如下 說明: Qint,i : 粒徑為xi的顆粒的強度加權(quán)量。粒徑分布可以得到為直徑，xi和相應(yīng)的強度加權(quán)量的離散集合 {3Qint, i, xi, i = 1...N} “Solid Particle” = Nicomp 軟件在從強度分布轉(zhuǎn)換為基于體積或數(shù)量的分布時，使用兩種折射率模型?！癝olid Particle”模型假設(shè)顆粒的折射率RI與分散液體的RI之間存在很大差異?！癡esicle”模型假設(shè)RI顆粒/RI液體的比例更接近，并針對脂質(zhì)體進行了優(yōu)化。 注意：這些模型不影響強度結(jié)果，只影響體積和數(shù)量結(jié)果。 Run Time = 測量持續(xù)時間的長度 Chi Squared = 擬合優(yōu)度計算 注： 此值還指示應(yīng)使用高斯還是多模態(tài) Nicomp 結(jié)果。如果卡方值低于 2-3，則建議使用高斯結(jié)果。對于大于 3 的卡方值，請考慮使用 Nicomp 結(jié)果。 AutoB. Adj. = 自動基線調(diào)整。當存在一些大顆?；蛟紨?shù)據(jù)嘈雜時，相關(guān)函數(shù)的基線可能會不穩(wěn)定。較高的Auto B. Adj 調(diào)整值表示數(shù)據(jù)存在噪聲，可能需要更好的樣品制備。 Ch 1.Data X1000 = 相關(guān)函數(shù)中通道 # 1 的內(nèi)容。值越高，表示函數(shù)中的統(tǒng)計準確性越高。 Z-Average Diff Coeff= 斯托克斯-愛因斯坦方程中使用的擴散系數(shù) D，用于將擴散系數(shù)轉(zhuǎn)換為粒徑。 3. 分布類型 圖 2 所示的結(jié)果是高斯結(jié)果;完全由平均值和標準差（或 PI）定義。高斯分布的特征是，總數(shù)的 68% 與平均值相差在 1 個標準差范圍內(nèi)，如圖 3 所示。
對于具有多個峰的樣品，使用獨特的Nicomp計算來解析多峰。較大的卡方值表示簡單的高斯結(jié)果不能很好地表示原始數(shù)據(jù)。獨特的Nicomp分布分析使用的一般數(shù)學(xué)過程稱為拉普拉斯變換反演（“ILT”）。這種相當復(fù)雜的技術(shù)也被用于分析其他科學(xué)領(lǐng)域的各種問題，與光散射無關(guān)。具體的數(shù)學(xué)過程是高斯（累積量）分析中使用的最小二乘計算的更復(fù)雜的版本;它被稱為非負最小二乘（“NNLS”）分析。 如圖4所示的結(jié)果具有較高的Chi平方值，這意味著高斯結(jié)果與原始數(shù)據(jù)的最佳擬合，應(yīng)考慮Nicomp結(jié)果。Nicomp結(jié)果如圖5所示。
圖4.高Chi平方結(jié)果，高斯結(jié)果
圖5.Nicomp 結(jié)果 DLS 測量的主要結(jié)果是強度加權(quán)分布。結(jié)果可以轉(zhuǎn)換為數(shù)量或體積分布，以便與其他技術(shù)進行比較。例如，由于顯微鏡產(chǎn)生數(shù)量加權(quán)分布，因此數(shù)量分布將顯示更接近SEM結(jié)果的結(jié)果。強度分布將類似于窄對稱分布的體積或數(shù)量分布。對于更廣泛的分布，結(jié)果將按照從大到小的一般順序出現(xiàn)相當大的差異：強度>體積>數(shù)量。樣品的強度、體積和數(shù)量結(jié)果的比較如圖6-8所示。
圖6. 強度分布結(jié)果（光強徑）
圖7. 體積分布結(jié)果（體積徑）
圖8. 數(shù)量分布結(jié)果（數(shù)量徑） 數(shù)據(jù)也可以顯示為低于所選百分比的累積結(jié)果，如圖9所示。
注意：最后一個百分比（在本例中為 80%）可由操作員在“控制”菜單中更改。 4. ZETA電位 Nicomp系統(tǒng)還可用于測量樣品的zeta電位。zeta電位是距離顆粒表面一小段距離的電荷，如圖12所示。
圖12 Zeta電位 通過向懸浮液施加電場并測量粒子運動的速度和方向來分析Zeta電位。zeta電位測量的主要結(jié)果是電泳遷移率μ然后使用以下公式計算zeta電位：
Nicomp可以通過檢測頻率或相移來測量粒子運動。首選方法是使用相位分析光散射（PALS）技術(shù)測量相移。 Nicomp系統(tǒng)的典型zeta電位結(jié)果如圖13所示。
圖 13. Zeta 電位結(jié)果 此測量值要關(guān)注的結(jié)果值是平均 Zeta 電位，在本例中為八次測量后的累積值。強烈建議進行多次 zeta 電位測量并使用平均值。 參考資料 [1] ISO 22412 -2008 Particle size analysis — Dynamic light scattering (DLS) 下載本篇解決方案：
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