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        超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花等離子體輔助生長及光致發(fā)光

        編號:CPJS04580

        篇名:超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花等離子體輔助生長及光致發(fā)光

        作者:王秋實(shí) ;馮雅輝 ;謝永輝 ;鐘敏 ;張麗娜

        關(guān)鍵詞:Si/SiOx納米線 弧光放電 光致發(fā)光

        機(jī)構(gòu): 渤海大學(xué)新能源學(xué)院,錦州121013

        摘要: 采用等離子體輔助直流弧光放電技術(shù),以Si粉和SiO2粉為反應(yīng)原料,制備了不同形貌的超細(xì)Si/SiOx納米線和納米花。通過X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、能量色散X射線光譜(EDS)對Si/SiOx納米線的形貌和組分進(jìn)行表征與分析。Si/SiOx納米線紫外可見吸收光譜證實(shí)了樣品的光學(xué)帶隙為4.58 e V。Si/SiOx納米線光致發(fā)光光譜(PL)表明其在305 nm、495 nm處有較強(qiáng)的發(fā)光峰,具有良好的發(fā)光性能。

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