編號：CPJS04758
篇名：占空比可調(diào)的氮化鎵納米圓臺陣列的制備及其光致發(fā)光效率的研究
作者：陳湛旭[1] ;萬巍[1] ;陳耿炎[2] ;何影記[1] ;陳泳竹[2]
關(guān)鍵詞：光學(xué)設(shè)計 發(fā)光二極管 納米圖形化 納米球刻蝕 光致發(fā)光
機構(gòu)： [1]廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院,廣東廣州510665; [2]廣東技術(shù)師范學(xué)院機電學(xué)院,廣東廣州510665
摘要： 實驗中在p-GaN層制備單層密排的聚苯乙烯（Ps）納米球作為掩模，通過改變納米球掩膜的直徑，制作了周期性的占空比不同的GaN納米圓臺陣列結(jié)構(gòu)。實驗結(jié)果表明，在歸一化激發(fā)光功率后，p-GaN層制備納米圓臺陣列的LED出光效率最高增加到參考樣品的3．8倍。三維時域有限差分方法計算表明，周期性納米結(jié)構(gòu)破壞了p-GaN表面的全反射，增大了LED結(jié)構(gòu)的光輸出臨界角，從而提高LED的光致發(fā)光效率。此外，利用可變的納米球掩模刻蝕技術(shù)，可以在同一個周期下優(yōu)化納米圓臺的尺寸從而進一步提高LED的出光效率，這可以用等效折射率與薄膜透射率理論來解釋，計算結(jié)果與實驗結(jié)果比較一致。
