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        直流電弧等離子體球化U_3Si_2粉體

        編號:CPJS00024

        篇名:直流電弧等離子體球化U_3Si_2粉體

        作者:孔常靜,寧偉建,吳彬,紀崇甲

        關(guān)鍵詞:U_3Si_2粉體;等離子體;球化

        機構(gòu): 中國科學院力學研究所

        摘要: 研制了直流電弧等離子體球化U3 Si2 粉體裝置。在Ar+He氣氛下對粒度為 10~ 15 0 μm范圍內(nèi)不規(guī)則形狀的U3 Si2 粉體進行了球化 ,球化率達 90 %。

        出處:中國粉體技術(shù)2000年04期

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