編號(hào)：CPJS05213
篇名：CdSZnO核殼納米棒陣列結(jié)構(gòu)的制備及在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
作者：毛永強(qiáng)[1,2] ;李娜[1] ;張敏[2] ;王繼仁[2]
關(guān)鍵詞：ZNO納米棒陣列 電沉積法 CDS納米晶 太陽(yáng)能電池
機(jī)構(gòu)： [1]遼寧工程技術(shù)大學(xué)理學(xué)院,阜新123000; [2]礦山熱動(dòng)力災(zāi)害與防治教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧工程技術(shù)大學(xué)安全科學(xué)與工程學(xué)院,阜新123000
摘要： 采用水熱法制備垂直于FTO導(dǎo)電玻璃基底的ZnO納米棒陣列,然后通過(guò)電化學(xué)沉積法在ZnO納米棒陣列上沉積CdS納米晶,形成CdS/ZnO核殼納米棒陣列結(jié)構(gòu)。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線衍射儀（XRD）、X射線能譜儀（EDS）和紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)（UV-Vis）等對(duì)所得樣品的形貌、結(jié)構(gòu)組成進(jìn)行分析表征;并以其為光電極組裝太陽(yáng)能電池,研究CdS納米晶厚度對(duì)該電池光電性能的影響。結(jié)果表明,所得樣品不僅拓寬和加強(qiáng)電池的光吸收能力,也有效調(diào)控光生載流子的傳輸。當(dāng)CdS納米晶沉積時(shí)間為60s時(shí),電池的光電轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)1.10%。
