編號：CPJS05254
篇名：CdSe納米棒陣列的制備及其光電化學性能
作者：田樂成[1] ;楊海濱[2] ;李云輝[1] ;紹晶[1] ;孫晶[1] ;董群[1] ;凌宏志[1] ;王碩[3] ;溫祖旺[3] ;張鑫[1] ;丁娟[4]
關(guān)鍵詞：CdSe納米棒 電化學沉積 光電化學性能
機構(gòu)： [1]長春理工大學化學與環(huán)境工程學院,長春130022; [2]吉林大學超硬材料國家重點實驗室,長春130012; [3]長春理工大學材料科學與工程學院,長春130022; [4]吉林大學珠海學院公共
摘要： 在室溫條件下,用電化學沉積方法在銦錫氧化物（ITO）基底表面生長CdSe納米棒陣列,并利用X射線衍射（XRD）、能量色散X射線（EDX）、場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）和紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）表征CdSe納米棒陣列的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,考察其光電化學性能;在標準三電極體系下,測試CdSe納米棒陣列電極的光電化學性能.結(jié)果表明：樣品沿[001]方向擇優(yōu)生長,并具有明顯的光響應特性;在光強為100 mW/cm^2的模擬太陽光照射下,該電極光電流密度J_sc=2.93 mA/cm2,開路電壓V_oc=1.16 V,填充因子FF=0.278,該電池的光電轉(zhuǎn)化效率η=0.947%.
