編號(hào)：CPJS05337
篇名：覆銀聚酰亞胺納米棒陣列的制備及其SERS特性
作者：范祥祥 ;何秀麗 ;李建平 ;高曉光 ;賈建 ;祁志美
關(guān)鍵詞：納米棒陣列 表面增強(qiáng)拉曼散射 等離子體刻蝕 場(chǎng)增強(qiáng)因子
機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100190
摘要： 通過在聚酰亞胺（PI）膜表面進(jìn)行氧等離子體刻蝕得到納米棒陣列,并濺射Ag膜形成了覆銀聚酰亞胺納米棒陣列。利用該方法能夠簡(jiǎn)單快捷地制備出具有較強(qiáng)活性且結(jié)構(gòu)可調(diào)的表面增強(qiáng)拉曼散射（SERS）襯底。通過改變氧等離子體刻蝕時(shí)間和濺射Ag膜厚度可以調(diào)節(jié)覆銀PI納米棒的間隙、密度和直徑。通過對(duì)探針分子尼羅蘭（NB）測(cè)試表征了覆銀PI納米棒襯底的SERS增強(qiáng)能力。通過改變氧等離子體刻蝕時(shí)間和Ag膜濺射厚度實(shí)現(xiàn)了襯底SERS增強(qiáng)能力的調(diào)節(jié)。在氧等離子體刻蝕時(shí)間為30 s和濺射Ag膜厚度為70 nm時(shí),襯底的SERS增強(qiáng)能力達(dá)到最強(qiáng),并且其拉曼信號(hào)展現(xiàn)出較好的一致性。
