編號：NMJS06325
篇名：p-ZnO∶（Ag,S）薄膜上生長ZnO納米結(jié)構(gòu)的研究
作者：盧忠 ;魏高堯 ;鄢波 ;隋成華 ;蔡依辰
關(guān)鍵詞： ZNO納米結(jié)構(gòu) 銀硫共摻ZnO薄膜 退火溫度
機構(gòu)： 浙江工業(yè)大學理學院,浙江杭州310023
摘要： 利用水熱法在p型銀硫共摻ZnO（p-ZnO︰（Ag,S））薄膜上生長ZnO納米結(jié)構(gòu).通過掃描電子顯微鏡（SEM）,X射線衍射（XRD）,光致發(fā)光譜（PL）及吸收譜研究了p-ZnO︰（Ag,S）薄膜在不同溫度下退火后對ZnO納米結(jié)構(gòu)及其光學特性的影響.當退火溫度低于300℃時,SEM圖像顯示ZnO納米結(jié)構(gòu)為納米柱形式出現(xiàn),并且隨著退火溫度的升高納米柱長度減小直徑增加;當退火溫度為350℃時,ZnO納米結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了大量平板結(jié)構(gòu);當退火溫度為400℃時,ZnO納米結(jié)構(gòu)又回歸為納米柱結(jié)構(gòu).XRD譜顯示ZnO納米結(jié)構(gòu)以（002）擇優(yōu)取向進行生長,PL譜顯示ZnO納米結(jié)構(gòu)以602nm左右的缺陷發(fā)射峰占主導,吸收譜顯示ZnO納米結(jié)構(gòu)的禁帶寬度隨退火溫度的升高逐漸增大,在350℃時出現(xiàn)最大值,此后隨退火溫度升高而減小.通過在p-ZnO︰（Ag,S）薄膜上生長ZnO納米結(jié)構(gòu)的研究將更加有助于ZnO半導體器件的研究.
