編號：CPJS05553
篇名：納米TATB中雜質(zhì)結(jié)構(gòu)與形成機理
作者：王彥群[1] ;王軍[2] ;黃輝勝[3] ;譙志強[2] ;李瑞[2] ;沈金鵬[2] ;楊光成[2]
關(guān)鍵詞： 納米TATB 雜質(zhì) 質(zhì)子化合物 機理
機構(gòu)： [1]西南科技大學材料科學與工程學院,四川綿陽621010; [2]中國工程物理研究院化工材料研究所,四川綿陽621999; [3]長江師范學院無機特種功能材料實驗室,重慶408100
摘要： 納米TATB是一種高能鈍感炸藥，在其制備過程中會產(chǎn)生一些雜質(zhì)。采用液態(tài)13^CNMR、X射線光電子能譜和理論模擬方法研究了可能雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明，這種雜質(zhì)是TATB分子的質(zhì)子化合物，命名為1，3，5-三氨基-2，4，6-三硝基-2，5-環(huán)己二烯硫酸氫鹽。依據(jù)量子化學方法，這種雜質(zhì)可能的形成機理是在溶解過程中，TATB分子被濃硫酸中的H原子質(zhì)子化。
