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        g-C3N4/石墨烯復(fù)合材料的制備及光催化活性的研究

        編號(hào):NMJS06685

        篇名:g-C3N4/石墨烯復(fù)合材料的制備及光催化活性的研究

        作者:尹競(jìng) ;廖高祖 ;朱冬韻 ;盧平 ;李來(lái)勝

        關(guān)鍵詞: 石墨相氮化碳 石墨烯 光催化

        機(jī)構(gòu): 華南師范大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院,廣東廣州510006

        摘要: 以三聚氰胺和氧化石墨烯顆粒為原料,通過(guò)研磨負(fù)載、氮?dú)鈿夥障蚂褵姆椒ㄖ苽淞耸嗟?石墨烯(g-C3N4/r GO)復(fù)合光催化劑.主要采用TEM、XRD、PL等對(duì)其進(jìn)行表征,研究了其在模擬太陽(yáng)光下對(duì)羅丹明B(Rh B)的光催化性能.PL分析結(jié)果顯示,相比單一的g-C3N4,g-C3N4/r GO的光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合幾率大大降低.光催化結(jié)果表明,和單一g-C3N4相比,首次使用研磨負(fù)載、氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下煅燒制備的g-C3N4/r GO(2%)光催化反應(yīng)180min后對(duì)Rh B的降解率提高了43.2%.這是因?yàn)槭間-C3N4提供了電子轉(zhuǎn)移場(chǎng)所,實(shí)現(xiàn)光生電子-空穴的有效分離,從而提高了光催化效率.本文還考察了添加叔丁醇(TBA)和三乙醇胺(TEOA)后對(duì)g-C3N4/r GO光催化的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:光生空穴是g-C3N4/r GO光催化體系中的主要活性物質(zhì)之一.

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