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        MoO_3修飾氧化石墨烯作為空穴注入層影響研究

        編號:NMJS06747

        篇名:MoO_3修飾氧化石墨烯作為空穴注入層影響研究

        作者:杜帥 張方輝

        關(guān)鍵詞: 氧化石墨烯(GO) MOO3 空穴注入層 有機電致發(fā)光器件(OLED)

        機構(gòu): 陜西科技大學(xué)理學(xué)院

        摘要: 研究了MoO3修飾氧化石墨烯(GO)作為空穴注入層的影響。采用旋涂的方法制備了GO,再真空蒸鍍修飾層MoO3,得到了空穴注入能力強和透過率高的復(fù)合薄膜。MoO3的厚分別采用0、3、5和8nm。通過優(yōu)化MoO3的厚度發(fā)現(xiàn),當MoO3的厚為5nm時,復(fù)合薄膜的透過率達到最大值,在550nm的光波長下透光率為88%,且此時采用復(fù)合薄膜作為空穴注入層制備的結(jié)構(gòu)為ITO/GO/MoO3(5nm)/NPB(40nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有機電致發(fā)光器件(OLED)性能最佳。通過對OLED進一步的優(yōu)化,改變Alq3的厚度,分別取50、60和70nm,測量其電壓、電流、亮度、色坐標和電致發(fā)光(EL)光譜等參數(shù)發(fā)現(xiàn),當Alq3的厚為50nm時器件性能最佳。最終制備了結(jié)構(gòu)為ITO/GO/MoO3(5nm)/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的OLED,在電壓為10V時,最大電流效率達到5.87cd/A,與GO單獨作為空穴注入層制備的器件相比,提高了50%。

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