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        硅納米結構晶體管中與雜質量子點相關的量子輸運

        編號:CPJS06349

        篇名:硅納米結構晶體管中與雜質量子點相關的量子輸運

        作者:吳歆宇 韓偉華 楊富華

        關鍵詞: 硅納米結構晶體管 雜質原子 量子輸運 工作溫度

        機構: 中國科學院半導體研究所 中國科學院大學

        摘要: 在小于10 nm的溝道空間中,雜質數(shù)目和雜質波動范圍變得十分有限,這對器件性能有很大的影響.局域納米空間中的電離雜質還能夠展現(xiàn)出量子點特性,為電荷輸運提供兩個分立的雜質能級.利用雜質原子作為量子輸運構件的硅納米結構晶體管有望成為未來量子計算電路的基本組成器件.本文結合安德森定域化理論和Hubbard帶模型對單個、分立和耦合雜質原子系統(tǒng)中的量子輸運特性進行了綜述,系統(tǒng)介紹了提升雜質原子晶體管工作溫度的方法.

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