編號：NMJS07346
篇名：石墨烯在GaN表面的直接制備及其在GaN-LED中的應(yīng)用研究
作者：樊星 郭偉玲 熊訪竹 董毅博 王樂 符亞菲 孫捷
關(guān)鍵詞： 石墨烯 化學(xué)氣相沉積 直接生長 GaN-LED
機(jī)構(gòu)： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點實驗室 福州大學(xué)場致發(fā)射國家地方聯(lián)合工程實驗室
摘要： 石墨烯具有優(yōu)良的光電特性,它能夠替代傳統(tǒng)的ITO材料用作GaN-LED的透明導(dǎo)電層。為了使上述應(yīng)用實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),利用熱壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生長的最佳條件,解釋了直接生長的機(jī)理,直接生長的最佳條件為生長溫度800℃,生長時間60 min,CH4和H2的分壓比分別為1.59%和3.17%,該條件下得到具有明顯2D峰的多層石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低溫生長并制造了相應(yīng)的GaN-LED,測試了其性能,結(jié)果表明生長溫度高于700℃時器件的性能明顯降低。該研究對實現(xiàn)石墨烯在LED中的工業(yè)化應(yīng)用具有積極意義。
