編號(hào)：NMJS07379
篇名：絕緣柵雙極晶體管表面電沉積鎳基石墨烯薄膜的制備及其散熱性能研究
作者：韓代云 李源彬
關(guān)鍵詞： IGBT 鎳基石墨烯薄膜 散熱 表征
機(jī)構(gòu)： 四川工商職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)電工程系 四川農(nóng)業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院
摘要： 將鎳基石墨烯薄膜應(yīng)用在IGBT模塊散熱方面,提出了鎳基石墨烯薄膜的制備工藝,并利用掃描電鏡、透射電鏡、能譜儀等對(duì)鎳基石墨烯薄膜進(jìn)行表征。結(jié)果表明,當(dāng)電流密度為2 A/dm^2時(shí),鎳基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,鎳基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒徑為32.5 nm。當(dāng)脈沖電流密度為1 A/dm^2時(shí),鎳基石墨烯薄轉(zhuǎn)移鎳基石墨烯薄膜后的S1芯片的散熱效果較好。當(dāng)脈沖電流密度為2 A/dm^2時(shí),鎳基石墨烯薄轉(zhuǎn)移鎳基石墨烯薄膜后的S2芯片的散熱效果最好,其最大散熱量為14.9℃。
