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        氮化鉭薄膜換能元低能化研究

        編號:CYYJ02347

        篇名:氮化鉭薄膜換能元低能化研究

        作者:任小明 劉蘭 余可馨 解瑞珍 劉衛(wèi) 薛艷

        關鍵詞: 換能元 TaN薄膜 橋區(qū)參數(shù) 發(fā)火感度

        機構: 陜西應用物理化學研究所應用物理化學重點實驗室

        摘要: 為了實現(xiàn)TaN薄膜換能元的低能化,設計制作了不同橋膜厚度、不同橋區(qū)尺寸、不同橋區(qū)形狀的TaN薄膜換能元,依據(jù)GJB/z 377A-94感度試驗用蘭利法,對其進行了發(fā)火感度測試。結果表明:當橋區(qū)尺寸、形狀一定時,隨著橋膜厚度的增加,換能元的發(fā)火電壓先減小后增加,當橋膜厚度為0.9μm時,發(fā)火電壓最小。通過優(yōu)化橋區(qū)尺寸和橋區(qū)形狀,獲得的TaN薄膜換能元最小平均發(fā)火電壓低于5V。

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