編號(hào)：CYYJ02392
篇名：具有熒光特性的硅量子點(diǎn)合成及在鐵離子檢測(cè)中應(yīng)用
作者：余佩林 陳磊 劉軍 陳華林 丁克毅 李賀
關(guān)鍵詞： 硅量子點(diǎn) 鐵離子檢測(cè) 熒光淬滅
機(jī)構(gòu)： 西南民族大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院 成都信息工程大學(xué)光電工程學(xué)院
摘要： 設(shè)計(jì)了一種新型的高熒光硅量子點(diǎn)(Silicon quantum dots,Si QDs)的合成方法,并嘗試探索其制備機(jī)理以及在三價(jià)鐵離子(Fe3+)檢測(cè)中的應(yīng)用.與傳統(tǒng)的還原法制備硅量子點(diǎn)相比,3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在硫酸的作用下能夠得到具有高熒光、低尺寸特性的硅量子點(diǎn).結(jié)果表明該硅量子點(diǎn)的最佳激發(fā)波長(zhǎng)和對(duì)應(yīng)發(fā)射波長(zhǎng)分別為305 nm和384 nm.在水溶液中,Si QDs和Fe3+通過(guò)配位作用使得硅量子點(diǎn)發(fā)生明顯聚集誘導(dǎo)淬滅現(xiàn)象(aggregation caused quenching ACQ),該方法能在2.5μM~250μM的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)Fe3+的靈敏檢測(cè),檢出限為670 nM.
