編號：NMJS08146
篇名：沉積溫度對化學氣相沉積法制備銅薄膜性質(zhì)的影響
作者：劉莎 徐源來 趙培 李紫琪 陳志杰
關鍵詞： 雙(2 2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化銅 Cu薄膜 化學氣相沉積 沉積溫度 (111)擇優(yōu)取向
機構： 綠色化工過程教育部重點實驗室化工與制藥學院武漢工程大學 武漢工程大學材料科學與工程學院
摘要： 以雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化銅(Cu(DPM)2)為前驅(qū)體,使用智能化學氣相沉積設備在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制備Cu薄膜。研究了不同沉積溫度對Cu薄膜的相組成、擇優(yōu)取向、宏觀表面、微觀結構、元素組成及電導的影響。在873 K至1173 K時制備了具有(111)擇優(yōu)取向的紫銅色銅薄膜,同時存在(200)和(220)取向,且銅晶粒呈島狀生長模式。隨著沉積溫度的升高,薄膜的導電性先增強后減弱。在1073 K時,制得了導電性最好且高度(111)擇優(yōu)取向的最純紫銅色Cu薄膜,即1073 K為制備Cu薄膜的最佳沉積溫度。
