編號(hào)：NMJS08148
篇名：流態(tài)化氣相沉積過(guò)程中稀釋氣體流量對(duì)顆粒表面SiO2沉積的影響
作者：吳朝陽(yáng) 高子涵 孔輝 先琛 賈吉祥 廖相巍
關(guān)鍵詞： 流態(tài)化氣相沉積 稀釋氣體流量 核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu) 鐵硅合金 結(jié)構(gòu)演化
機(jī)構(gòu)： 安徽工業(yè)大學(xué)特殊服役環(huán)境的智能裝備制造國(guó)際科技合作基地 鞍鋼集團(tuán)公司鋼鐵研究院
摘要： 利用Fe(Si)合金球形粉末為沉積基底,正硅酸乙酯為SiO2氣相介質(zhì)前驅(qū)體,采用引入流化環(huán)節(jié)的化學(xué)氣相沉積工藝合成了Fe(Si)/SiO2復(fù)合粉末。考察了沉積過(guò)程中Ar稀釋氣體流量對(duì)Fe(Si)基底粉末表面SiO2絕緣介質(zhì)沉積過(guò)程的影響規(guī)律及形成完整核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的稀釋氣體流量范圍。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著流態(tài)化氣相沉積過(guò)程中Ar稀釋氣體流量的逐漸增大,SiO2絕緣介質(zhì)在Fe(Si)粉末基底表面的微觀形貌從亞微米級(jí)團(tuán)簇轉(zhuǎn)變?yōu)橥暾∧ぴ傧蚨嗫妆∧まD(zhuǎn)變,沉積速率先減小后增大再降低,在250 sccm時(shí)SiO2絕緣介質(zhì)均勻性最好,沉積速率為0.069 nm/s。此外,形成完整Fe(Si)/SiO2核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的Ar稀釋氣體流量范圍為200~300 sccm。
