編號：FTJS09009
篇名：SiC對粉碎燒結(jié)法制備P型Bi0.5Sb1.5Te3合金熱電性能的影響
作者：王小宇 江威 朱彬 孫遠濤 向波 黃中月 楊雙根 祖方遒
關(guān)鍵詞： Bi0.5Sb1.5Te3 SiC復(fù)合 粉碎燒結(jié) 熱電性能
機構(gòu)： 中國電子科技集團公司第三十八研究所 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 南方科技大學(xué)理學(xué)院
摘要： 向粉碎法制備的Bi0.5Sb1.5Te3+5%Te(質(zhì)量分數(shù))合金粉體中混入不同體積分數(shù)的SiC顆粒,利用放電等離子體燒結(jié)法制備SiC復(fù)合塊體材料,探究塊體材料組織和熱電性能的變化規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn):隨著SiC體積分數(shù)的增加,塊體材料的取向性弱化,組織細化,載流子濃度增加,遷移率降低;由于取向性弱化及組織細化,加強了聲子散射,降低了晶格熱導(dǎo)率。由于SiC復(fù)合塊體材料的電學(xué)性能惡化,塊體材料的無量綱熱電優(yōu)值(ZT)并未獲得顯著的提升;當SiC體積分數(shù)為0.40%時,SiC復(fù)合塊體材料在322 K時具有最優(yōu)的無量綱熱電優(yōu)值(ZT=~0.81)。
