編號：CYYJ02989
篇名：石墨烯缺陷對光子晶體光吸收特性的調(diào)制
作者：趙宏斌 蘇安 尹向?qū)?蒙成舉 江思婷 高英俊
關(guān)鍵詞： 石墨烯 光子晶體 缺陷 光學(xué)吸收 調(diào)制
機(jī)構(gòu)： 河池學(xué)院數(shù)理學(xué)院 廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
摘要： 通過構(gòu)造含石墨烯缺陷光子晶體結(jié)構(gòu)模型(ACGK1CB)NCGKC(BCGK2CA)M,利用傳輸矩陣法理論和計(jì)算機(jī)模擬仿真的方式,研究了石墨烯缺陷對光子晶體光吸收特性的調(diào)制作用。當(dāng)光子晶體中引入石墨烯缺陷后,光子晶體的光吸收率增強(qiáng),并出現(xiàn)明顯的窄帶吸收峰。隨著周期數(shù)M或K2增大,光子晶體的光吸收率增強(qiáng),當(dāng)M=6時(shí)吸收率達(dá)到96.55%,當(dāng)K2=4時(shí)吸收率達(dá)到43.30%,而且吸收峰隨M增大向短波方向移動(dòng),但隨K2增大向長波方向移動(dòng)。隨著周期數(shù)K增大,光子晶體的光吸收率先增大到極大值后再減弱,且吸收峰向短波方向移動(dòng)。隨著A介質(zhì)層(硅單質(zhì))厚度dA的增大,光子晶體的光吸收率增強(qiáng),當(dāng)dA=178.25 nm時(shí)吸收率達(dá)到48.54%,且吸收峰向長波方向移動(dòng);隨著B、C介質(zhì)層(分別為四氯化碳和砷化鎵)厚度dB、dC增大,光子晶體的光吸收率減弱,當(dāng)dB=178.25 nm時(shí)吸收率為33.12%,當(dāng)dC=155.25 nm時(shí)吸收率為25.89%,且吸收峰向長波方向移動(dòng)。隨著光入射角θ增大,光子晶體的光吸收率先增大到極大值后再減弱,且吸收峰向短波方向移動(dòng)。研究結(jié)果表明石墨烯缺陷對光子晶體光吸收特性具有很好的調(diào)制作用,為新型光學(xué)吸收器、濾波器和全反射器等材料研究和選擇提供理論參考。
