編號：CYYJ03834
篇名：不同濃度Mg摻雜單層Janus WSSe的第一性原理研究
作者：安夢雅 謝泉 張和森 梁前
關鍵詞： Janus WSSe 幾何結構 電子結構 光學性質(zhì)
機構： 貴州大學大數(shù)據(jù)與信息工程學院新型光電子材料與技術研究所
摘要： 二維Janus WSSe作為一種新型過渡金屬硫族化合物(TMDs)材料由于其獨特的面外非對稱結構及眾多新穎的物理特性,在自旋電子器件中具有巨大的應用潛力.本文基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方法,通過構建四種摻雜模型W9-xMgxS9Se9(x=0、1、2、3),分別計算了不同濃度Mg摻雜單層WSSe的電子結構和光學性質(zhì).結果表明:摻雜使得WSSe由直接帶隙半導體變?yōu)殚g接帶隙半導體,并且隨著摻雜濃度的增加,帶隙逐漸減小,費米能級穿過價帶,使得摻雜體系變成P型半導體,當x=3時,摻雜體系呈現(xiàn)金屬性.此外,摻雜體系的靜態(tài)介電常數(shù)隨著摻雜濃度的增加而變大,極化程度顯著增強,介電函數(shù)虛部和光吸收峰都發(fā)生了紅移,說明摻雜有利于可見光的吸收.并且,靜態(tài)折射率隨著摻雜濃度的增加而呈現(xiàn)上升趨勢,同時消光系數(shù)的峰值也與Mg原子的摻雜濃度呈現(xiàn)正相關。
