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        全自動大尺寸光刻機
        全自動大尺寸光刻機

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        科睿設備有限公司

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        MIDAS SYSTEM公司開發(fā)并生產(chǎn)用于半導體、MEMS、LED及納米技術(shù)相關(guān)的實驗室和工業(yè)領(lǐng)域的光罩對準曝光機和甩膠機,是韓國**家研發(fā)并商業(yè)化光罩對準曝光機的企業(yè),始終致力于不斷完善、增強技術(shù)型企業(yè)的核心競爭力。

        MIDAS SYSTEM公司具有專業(yè)化的設計團隊,以客戶需要為己任,生產(chǎn)、供應滿足國內(nèi)外企業(yè)、科研院所不斷增長的應用需求,并且提供半導體工藝相關(guān)的設備需要。

        MDA-12SA型曝光機是一款MIDAS公司新開發(fā)的產(chǎn)品,代表了下一代全區(qū)域光刻系統(tǒng)。這一新型半自動化對準曝光平臺具有更高的重復光刻精度以及更可靠的操作,非常適合陶瓷及其他探針卡應用,同時MDA-12SA型半動化光罩對準曝光機具有更高的生產(chǎn)能力和容易操控。

        項目參數(shù)
        光源能量紫外曝光光源光強2000~5000W,輸出能量可控
        光束范圍14.25″× 14.25″
        均勻光束范圍13.25″× 13.25″
        光束均勻性<3%~5%
        365nm輸出光束強度5KW 25~60mW/cm2,2 KW 15~30mW/cm2
        400nm輸出光束強度5KW 50~100mW/cm2,2 KW30~50mW/cm2
        可調(diào)節(jié)曝光時間0.1~999.9s
        范圍觀察顯微鏡/CCD相機安裝(480~1000倍可變放大,1600倍可選)
        電動觀察范圍移動顯微鏡x、y、z電動操作(手柄控制)
        電動樣品臺樣品臺x、y、z、Theta電動操作
        卡盤移動大范圍。靜態(tài)對準工具模塊進行x、y、z、Theta移動
        卡盤水平楔形誤差補償(楔形位置自動感應,壓力傳感器,警報)
        基片尺寸直至14″× 14″
        掩模板規(guī)格可替換的直至15″× 15″
        真空卡盤移動x、y:10mm;Theta:4×
        Z向移動距離10mm
        接觸模式接近式、軟接觸式、硬接觸式、真空接觸式(真空接觸力可調(diào)節(jié))
        接近調(diào)節(jié)1μm步進可調(diào)節(jié)程序化控制系統(tǒng)
        對準精度1μm
        顯示器17″觸屏
        氣動控制基片、掩膜、接觸、接觸調(diào)節(jié)、卡盤鎖、N2、N2調(diào)節(jié)
        分辨率1μm(真空接觸下近紫外)
        擺放防震桌
        選件CCD BSA、DUV、紫外強度計

        ■ Auto Exposure / Alignment System

        ■ 2~6 inch wafer process

        ■ Interface between Aligner and Robot : RS-232C

        ■ Auto Loading and Unloading Using Double Robot Arm

        ■ Auto-Alignment with Vision System

        ■ Pre-Alignment and Automatic Positioning

        ■ Anti-Vibration Table

        ■ Dual CCD Auto zoom Microscope ? Variable Magnification : Max. 1400x

        ■ 17inch LCD touch monitor

        ■ Wedge Error Compensation

        ■ Throughput :Alignment : 120WPH PSS, First layer : 170WPH

        Item Specification
        Exposure System Lamp Power 350W UV Lamp(OSRAM)
        Resolution 0.8um (Vacuum contact)
        Beam Uniformity ≤ ± 5% (6inch standard)
        Intensity 20~25mW/cm2:350~450nm
        Adjustable Exposure Time 0.1 to 999.9 sec
        Alignment System Alignment Accuracy 1um
        Alignment Gap 20 to 200um
        Pre-Alignment Accuracy ± 50um
        Process Mode Vacuum, Hard, Soft Contact and Proximity
        *Proximity Gap is 20um to 200um
        Proximity Adjustment adjustable 1 micron increments Program Control System
        Throughput>120 wafer/hour (Auto alignment) 170 wafer/hour (PSS, First layer)
        Sample Substrate 2 ~ 6 inch
        Mask Size 3 ~ 7 inch
        Utilities Vacuum > 650mmHg
        CDA > 6Kg/cm2
        N2 > 4Kg/cm2
        Electricity 220V, 30A, 1Phase
        Monitor Touch LCD 17" Monitor
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        10分

        售后服務

        10分

        易用性

        10分

        性價比

        10分
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