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XRD 系列
晶圓和鑄錠快速準(zhǔn)確的晶向定位
從全自動(dòng)的在線分析到晶圓材料的快速質(zhì)量檢查,我們的晶向定位解決方案在
設(shè)計(jì)時(shí)考慮到了晶棒、鑄錠、切片和晶圓的全部應(yīng)用場(chǎng)景。此系列產(chǎn)品利用
XRD分析技術(shù)在晶圓生產(chǎn)的全部流程中，提供簡(jiǎn)單、快速、高精度的晶體定
向測(cè)量，大大提高產(chǎn)品良率。
Omega/Theta（XRD）
用于超快晶體定向的全自動(dòng)垂直三軸XRD
10秒內(nèi)完成定向
定向精度：0.003°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù)：多鑄錠取向測(cè)定，實(shí)現(xiàn)高效切割
晶錠端面及定位邊定向和轉(zhuǎn)移夾具可選
光學(xué)測(cè)量工具可選，可測(cè)樣品直徑、平邊/V 槽位置、形狀、長(zhǎng)度、深度
適應(yīng)不同樣品的精密樣品轉(zhuǎn)盤、mapping臺(tái)和工裝夾具
搖擺曲線測(cè)量
DDCOM（XRD）
緊湊型超快晶體自動(dòng)定向儀
10秒內(nèi)完成定向
定向精度：0.01°
兩個(gè)閃爍探測(cè)器
專為方位角設(shè)置和晶向標(biāo)記而設(shè)計(jì)
可測(cè)直徑為 8 mm 至**225 mm的晶圓和晶錠
無(wú)需水冷
SDCOM（XRD）
用戶友好的緊湊型多功能XRD
超快測(cè)量，10秒內(nèi)返回結(jié)果
定向精度：0.01°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù)：多鑄錠取向測(cè)定，實(shí)現(xiàn)高效切割
光學(xué)測(cè)量工具可選，可測(cè)樣品直徑、平邊/V 槽位置、形狀、長(zhǎng)度、深度
樣品直徑1-200mm
無(wú)需水冷
XRD-OEM
在線晶體定向測(cè)定
標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)接口，可集成到任何自動(dòng)化或加工系統(tǒng)中
線切/研磨前對(duì)大型晶錠進(jìn)行全自動(dòng)在線定向
可內(nèi)置于磨床和切割機(jī)等惡劣環(huán)境中使用
平邊/V槽的光學(xué)測(cè)量功能，如位置、形狀、長(zhǎng)度、深度等
Wafer XRD 200 / 300
Wafer XRD 200
無(wú)縫融入生產(chǎn)線的全自動(dòng)高速XRD
用于3-8英寸晶圓片
定向精度：0.003°
產(chǎn)能：100萬(wàn)片/年
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，如晶體取向和電阻率、幾何特征（如 V 槽和平槽）、距離測(cè)量等
全自動(dòng)處理和揀選晶圓片
Wafer XRD 300
用于300mm晶圓生產(chǎn)的高速XRD
超快速提供12英寸晶圓的晶體取向和幾何特征等
定向精度：0.003°
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，如晶體取向和電阻率、幾何特征（如 V 槽和平槽）、距離測(cè)量等
附加功能
晶圓面掃 鑄錠堆垛
自動(dòng)化晶圓揀選 小樣品夾具
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
隨著動(dòng)力電池和新能源汽車的需求爆發(fā)，鋰電正極材料也正在快速迭代，其中三元材料逐漸成為動(dòng)力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法，化學(xué)分析過(guò)程相對(duì)復(fù)雜、分析時(shí)間長(zhǎng)、梯度稀釋誤
2021-08-06
XRF在鋰電正極材料元素分析中的應(yīng)用 水泥和似水泥物（混合材）體系水化過(guò)程的X射線衍射分析 馬爾文帕納科綜合樣本手冊(cè) 
在科研與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的過(guò)程中，作為核心生產(chǎn)研發(fā)設(shè)備的精密儀器，其先進(jìn)性及性能穩(wěn)定性
時(shí)間：2025年4月18日-20日 展館：大連國(guó)際會(huì)議中心 &n
展期：2025年3月10日-12日展館：上海世博展覽館 H1 號(hào)館地址：上海市?浦東博成路850號(hào)展位號(hào)：H1-A4262025年3月10日至12日，馬爾文帕納科（Malvern Panalytica
本文摘要使用Zetasizer納米粒度電位儀進(jìn)行預(yù)制備樣品電位測(cè)量時(shí)，樣品中產(chǎn)生的氣泡會(huì)顯著影響測(cè)量結(jié)果。本文將通過(guò)實(shí)際案例展示如何通過(guò)超聲脫氣與馬爾文帕納科專利的擴(kuò)散屏障法[2]結(jié)合使用，來(lái)保障預(yù)制
本文摘要納米氣泡的粒度表征，受限于其顆粒濃度低、粒徑分布寬等特點(diǎn)，若使用動(dòng)態(tài)光散射（DLS）技術(shù)進(jìn)行測(cè)試，信號(hào)弱，數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤（NTA）技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)、可視化的納米氣泡顆粒表
本文摘要磨料用SiO2 漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響，進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過(guò)程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技
XRD系列晶向定位的工作原理介紹？XRD系列晶向定位的使用方法？XRD系列晶向定位多少錢一臺(tái)？XRD系列晶向定位使用的注意事項(xiàng)XRD系列晶向定位的說(shuō)明書有嗎？XRD系列晶向定位的操作規(guī)程有嗎？XRD系列晶向定位的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？XRD系列晶向定位有現(xiàn)貨嗎？XRD系列晶向定位包安裝嗎？
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