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Semiconsoft MProbe薄膜測厚儀
M p r o b e 讓 你 成 為 測 量 專 家 !
大部分半透明的或具有輕微吸收性的薄膜能夠被快速、可靠的測量：
氧化物、氮化物、感光耐蝕膜、聚合物、半導體(Si， aSi，polySi)、半導體化合物(AlGaAs，InGaAs，CdTe，CIGS)、硬涂層(SiC， DLC)， 聚合物涂料 (Paralene， 聚甲基丙烯酸甲酯， 聚酰胺)， 薄金屬薄膜等。
厚度范圍: 1 nm-1 mm
波長范圍: 200nm -5000nm
在薄膜太陽能電池中的應用:
aSi， TCO， CIGS， CdS， CdTe-全太陽能堆棧測量
LCD， FPD應用:
ITO， 細胞間隙，聚酰胺。
光學涂層:
介質濾波器，硬涂層，防反射涂層半導體和電解質: 氧化物，氮化物， OLED堆。
實時測量和分析。各種多層次的， 高強度的，厚的， 獨立和不均勻的層 。
豐富的材料庫 (500多種材料) – 新材料容易增添。
支持參數(shù)化材料:
Cauchy， Tauc-Lorentz， Cody-Lorentz， EMA 等?
使用靈活:
可聯(lián)網(wǎng)在操作臺桌面或現(xiàn)場進行研究與開發(fā)。用TCP或Modbus接口能容易的和外部系統(tǒng)連接。
測量參數(shù)：
厚度、光學常數(shù)、表面粗糙度。
界面友好強大:
測量和分析設置簡單。背景和縮放修正，連接層和材料。
離線數(shù)據(jù)分析：
仿真和靈敏度分析，多樣品測量，生產批量處理。
MProbe系統(tǒng)示意圖
| 精度 | 0.01nm or 0.01% |
| 精確度 | 0.2% or 1 nm |
| 穩(wěn)定性 | 0.02nm or 0.03% |
| 光斑尺寸 | 標準為 3mm ， 可以小到 3μm |
| 樣本大小 | 從 1mm 起 |
主要參數(shù)
| 模型 | 波長 | 范圍光譜儀探測器/檢測器/光源 | 厚度范圍 * |
| VIS | 400-1100 nm | 分光儀 F4/Si 3600像素點/ 鎢-鹵素光源 | 15 nm to 20 mm (option:up to 50 mm) |
| UVVisSR | 200-1100 nm | 分光儀 F4/ Si CCD 3600 像素點/氘-鎢鹵組合式光源 | 3 nm to 20 mm (option:up to 50 mm) |
| HRVIS | 700-1000 nm | HR分光儀F4/Si 3600 像素點/ 鎢-鹵素光源 | 1 mm to 400 mm |
| NIR | 900-1700nm | 傳輸光譜儀(TVG) F2/512 InGaAs/鎢-鹵素光源 | 100 nm-200 mm |
| VISNIR | 400-1700 nm | 分光儀 F4 Si CCD 3600 像素點 (Vischannel)；傳輸光譜儀(TVG) F2/512 InGaAs PDA( NIR channel) 鎢-鹵素光源 | 15 nm to 200 mm |
| UVVISNIR | 200 -1700 nm | 分光儀F4 Si CCD 3600 像素點(Vis頻道);傳輸 氘-鎢鹵組合式光源 | 3 nm -200 mm |
| NIRScan | 900nm -5000nm | 掃描分光計/InGaAs/ MCT 探測器 (掃描時間 <60 秒 ) TH-SiN光源 | 100 nm -800 mm |
| XT | XT 1590nm -1650nm | 傳輸光譜儀 (TVG) F2/512 InGaAs/鎢 -鹵素光源 | 10 mm- 1 mm |
* T， n & k 測量的厚度范圍為25nm – 5um
其他配置也是可以做到，歡迎原始設備制造商咨詢和定制開發(fā)項目。
對所有系統(tǒng)中的配件有一年的質量保證。
暫無數(shù)據(jù)！
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