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        實時分析微光顯微鏡TriPHEMOS
        實時分析微光顯微鏡TriPHEMOS

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        產(chǎn)地

        日本

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        暫無
        濱松光子學商貿(mào)(中國)有限公司

        會員

        |

        第2年

        |

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        TriPHEMOS 實時分析微光顯微鏡

        為了滿足CPU越來越快的速度和移動設(shè)備中低功耗的需求,先進的IC已經(jīng)具有降低電壓、轉(zhuǎn)化為倒裝芯片、多布線層以及進一步減小尺寸等特點。由此也導致使用傳統(tǒng)技術(shù)難以分析芯片內(nèi)部工作的時序。

        TriPHEMOS工具使用二維紅外探測器,可以皮秒級精度分析器件時序。

        特性

        全新的探測器,其靈敏度范圍可達1600nm

        全新的探測器靈敏度范圍為950nm到1600nm,而傳統(tǒng)探測器的范圍只能到1400nm。擴展出來的光譜靈敏度增加了背面分析和低電壓驅(qū)動IC的探測效率。

        全新的TDC(Time to Digital Converter),減少了分析時間

        全新設(shè)計的TDC可以以12.5ps的時間分辨率測量10ms內(nèi)發(fā)生的光發(fā)射。專用分析軟件可以在全測量范圍的任何時間窗內(nèi)獲取結(jié)果,因此可探究出每個事件的更多細節(jié)。

        TDC可提供更高的重復頻率

        專門設(shè)計的TDC**可提供10MHz的重復頻率。TDC的重復頻率范圍為100Hz到10MHz,因此使用者在測試工程中可更加靈活(循環(huán)長度)。

        二維探測器同時測量

        近紅外二維探測器同時測量視場內(nèi)所有晶體管的光發(fā)射波形,因此可快速識別目標晶體管。

        低噪聲測量

        TriPHEMOS的近紅外二維探測器的ems噪聲比傳統(tǒng)固態(tài)探測器的要低1/1000(室內(nèi)),因此可以捕獲非常微弱的光現(xiàn)象。

        多功能平臺

        TriPHEMOS 配備了適用于背面操作的多功能平臺。該平臺允許使用者增加額外的探測器,可與激光應用配合工作。通過降低樣品設(shè)置的復雜度進而流程長度,平臺將設(shè)置樣品的效率**化。

        分析功能

        可在測量中實時成像。

        • ROI(感興趣區(qū)域)窗口可對特定的晶體管進行分析。

        • 邏輯仿真器下載輸出。

        選配

        CAD導航軟件

        選配的CAD導航接口軟件可使用戶在CAD數(shù)據(jù)上覆蓋發(fā)光,以進一步分析。

        EO探針單元C12323-01

        EO探針單元是一款工具,通過使用非連續(xù)光源,透過硅基底來觀察晶體管狀態(tài)。它由EOP(Electro Optical Probing)來快速測量晶體管工作電壓,由EOFM(Electro Optical Frequency Mapping)以特定頻率對活躍晶體管成像。

        應用

        • 時序驗證

        • IC開發(fā)中的設(shè)計驗證

        • DFM參數(shù)收集

        • 器件失效分析

        LSI器件光發(fā)射的動態(tài)測量

        LSI器件內(nèi)部的CMOS晶體管在源極和漏極施加電壓時由于電流流動而發(fā)光,該發(fā)光現(xiàn)象可分為瞬變態(tài)和靜止態(tài)。

        測量瞬變光發(fā)射(瞬變態(tài))

        當邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時,LSI器件內(nèi)部的晶體管開關(guān)轉(zhuǎn)換,晶體管瞬間的電流反射出脈沖光。對該脈沖光的波形進行時域測量,可以皮秒級精確度對時間進行測量。

        測量靜止光發(fā)射(靜止態(tài))

        無論晶體管是維持在開還是關(guān)狀態(tài),對其施加電壓會產(chǎn)生電流并且發(fā)光。該現(xiàn)象因?qū)SI施加的電壓以及門電壓的不同而不同。當晶體光處于關(guān)狀態(tài)時,決定晶體光特性和缺陷數(shù)目的亞閾值電壓還影響電流流動中的漏電流量。分析靜止態(tài)的光發(fā)射可以定位缺陷點,追蹤晶體管特性浮動、LSI供電不規(guī)則性等等參量。

        測量示例

        參數(shù)

        產(chǎn)品名稱TriPHEMOS
        靈敏度范圍950 nm to 1600 nm
        有效視場7.8 mm×7.8 mm
        結(jié)構(gòu)倒置型
        觸發(fā)間隔(測量范圍)100 ns/10 MHz to 10.5 ms/100 Hz
        *小時間分辨率12.5 ps
        軟件測量控制,分析, CAD 導航, VCD
        尺寸/重量*1主單元:1580 mm (W)×1270 mm (D)×1500 mm (H), Approx. 1500 kg

        控制臺1:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg

        控制臺2:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg

        選配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg

        線電壓AC220 V (50 Hz/60 Hz)
        功耗約 4400W
        壓縮空氣0.5 MPa to 0.7 MPa

        *1:重量因選配不同而變化。

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        售后服務

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        10分

        性價比

        10分
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