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Bhadra?立式LPCVD BHC200
功能
氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積
適用于功率半導體/襯底材料
重要參數(shù)
**晶圓尺寸:8寸及以下晶圓
**載片量:125片/批
**加熱溫度:1050℃
成膜種類:根據(jù)不同工藝要求工藝源可選配
裝卸片方式
立式垂直升降
垂直真空密封系統(tǒng)
先進的壓力控制技術
五區(qū)高精度溫度場控制
先進的顆??刂萍夹g
先進微環(huán)境氧含量控制
穩(wěn)定的傳輸控制能力
暫無數(shù)據(jù)!
產品質量
售后服務
易用性
性價比
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