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        BHO200型超高溫氧化爐
        BHO200型超高溫氧化爐

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        面議

        型號

        BHO200型超高溫氧化爐

        品牌

        拉普拉斯

        產(chǎn)地

        廣東

        樣本

        暫無
        拉普拉斯新能源科技股份有限公司

        會員

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        第2年

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        生產(chǎn)商

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          其他
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          其他
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        項   目

        高溫氧化爐

        功  能

        ?  用于SiC、GaN等高溫氧化工藝 

        ?  滿足真空/氣氛高溫氧化工藝

        重要參數(shù)

        ?  **晶圓尺寸:滿足6寸以下晶圓工藝要求 

        ?  **載片量:50片/批 

        ?  **加熱溫度:1500℃

        裝卸片方式

        ?  立式垂直升降 

        ?  立式真空密封系統(tǒng)

        拉普拉斯新能源科技股份有限公司LAPLACE Renewable Energy Technology Co., Ltd.)成立于2016年,是一家由多位海內(nèi)外半導體設備領域高端人才創(chuàng)立的高科技高端裝備研發(fā)制造企業(yè)。拉普拉斯致力于成為**的泛半導體領域核心工藝解決方案提供商。 

        拉普拉斯現(xiàn)有人數(shù)規(guī)模超過1840人,公司擁有一支包含多名外籍專家和多名博士在內(nèi)的核心研發(fā)團隊,研發(fā)人員占比14.89%,技術人員占比27.28%。公司在深圳坪山區(qū)擁有一座8000平方米的研發(fā)中心和生產(chǎn)廠房,公司在無錫占地137畝,一期**棟廠房13000平方米已建設完成并投入使用,可滿足單月產(chǎn)能400臺套以上的生產(chǎn)需求,未來2-3年將快速完成二期和三期的工廠建設規(guī)劃。

        SiC/GaN基半導體器件用Bhadra?系列BHO200型超高溫氧化爐

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