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            VSParticle 納米粒子發(fā)生器
            VSParticle 納米粒子發(fā)生器

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            型號(hào)

            VSP-G1

            品牌

            VSParticle

            產(chǎn)地

            荷蘭

            樣本

            暫無
            復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司

            金牌會(huì)員

            |

            第8年

            |

            代理商

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            • 制作方法:

              用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材(電極)。使用時(shí)只需安裝電極并設(shè)置參數(shù),按下按鈕即可開始生成納米粒子。
            • 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):

              支持材料金屬,氧化物,合金,碳材料
            • 純度:

              產(chǎn)率:0-20mg/h (依材料而定)
            • 目數(shù):

              納米顆粒尺寸 1-20 nm
            • 品級(jí):

              優(yōu)
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            VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺(tái)桌面式儀器,用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產(chǎn)完全在氣相中進(jìn)行,因此無需使用表面活性劑或前驅(qū)體。用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材(電極)。使用時(shí)只需安裝電極并設(shè)置參數(shù),按下按鈕即可開始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產(chǎn)品均采用模塊化設(shè)計(jì),因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨(dú)立的納米氣溶膠源,也可以與不同的沉積模塊結(jié)合使用。


            獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵,利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子?;鸹g可以在放電通道產(chǎn)生高達(dá)20000K的瞬時(shí)高溫,足以克服塊體材料的宏觀不溶性,產(chǎn)生更多的材料可能性?;旌蟽蓚€(gè)純電極或使用合金電極可以通過成分控制調(diào)整材料組分。類似地,通過并聯(lián)或串聯(lián)運(yùn)行兩個(gè) VSP-G1,每個(gè) VSP-G1 使用不同的電極材料,*后產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料(例如,分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu))

            多樣化沉積.JPG.png


            VSP-G1 *有價(jià)值的一點(diǎn)是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過改變氣體流速來實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)然這會(huì)影響納米顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的停留時(shí)間。 較低的流速通過為初級(jí)顆粒提供更多的時(shí)間來凝并,從而導(dǎo)致較大的平均粒徑,而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準(zhǔn)備的樣品類型(例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層),還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的**特點(diǎn)便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長與傳輸過程。

            VSP-G1-功能_1.png

            采用模塊化設(shè)計(jì),VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用,以制備先進(jìn)的納米材料?;跀U(kuò)散、過濾或沖擊技術(shù),有不同的沉積模塊可用。


            VSP-G1-功能_2.png

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