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        PECVD設備
        PECVD設備

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        型號

        PECVD設備

        品牌

        鵬城半導體

        產(chǎn)地

        廣東

        樣本

        暫無
        鵬城半導體技術(深圳)有限公司

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        PECVD設備(等離子體增加強化學氣相沉積PECVD)主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長;采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。


        設備用途和功能特點

        1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備,主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

        2、設備保護功能強,具備真空系統(tǒng)檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。

        3、配置尾氣處理裝置。


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